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1994 Fiscal Year Annual Research Report

不規則量子細線半導体の実現に関する研究

Research Project

Project/Area Number 06402039
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

佐々木 昭夫  京都大学, 工学部, 教授 (10025900)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 若原 昭浩  京都大学, 工学部, 助手 (00230912)
Keywords不規則超格子 / ステップフロー姿態 / 量子効果 / 発光
Research Abstract

不規則超格子より不規則の空間的次元を増した。不規則量子細線の実現には、結晶成長においてステップフロー(step flow)成長姿態で行う。そのためには、用いる半導体材料のAlP,GaP成長層の成長速度制御で要求される。研究の手始めは、実験の繰り返しにより、ガス切り換えの所要時間を割り出して行う。現有の有機金属ガス気相エピタキシャル成長(MOVPE)装置を用いて行うために装置を改良後、ステップフロー成長の基礎実験を行った。
最近、急激に注目されている窒化物系すなわちAlN/GaNによる不規則量子構造の実現のためにまずGaNの成長を開始した。従来に比べて新しい窒素源を用いて、GaN膜を得ることができた。

  • Research Products

    (4 results)

All Other

All Publications (4 results)

  • [Publications] A.Sasaki: "Enhanced electroluminescence of AlP/GaP disordered Superlattice" Appl.Phys.Lett.64. 2016-2018 (1994)

  • [Publications] A.Wakahara: "Photoluminescence properties of Si_<1-x> Ge_1 Si disordered superlattices" Appl.Phys.Lett.64. 1850-1852 (1994)

  • [Publications] A.Sasaki: "Structural Characterization of AlP/GaP Disordered Superlattice by Dynamical Simulation of X-Ray Diffraction" Jpa.J.Appl.Phys.33. 5671-5675 (1994)

  • [Publications] A.Wakahara: "Organometallic Vapor phase epitaxial growth of AlP/GaP monolayer superlattice using tertiarybutyl phosphine" Appl.Phys.Lett.65. 2096-2098 (1994)

URL: 

Published: 1996-04-08   Modified: 2016-04-21  

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