1994 Fiscal Year Annual Research Report
化学気相成長法による透明ダイヤモンド膜合成装置に関する基礎研究
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06452157
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
吉川 昌範 東京工業大学, 工学部, 教授 (30016422)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平田 敦 東京工業大学, 工学部, 助手 (50242277)
戸倉 和 東京工業大学, 工学部, 助教授 (10016628)
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| Keywords | 化学気相成長法 / ダイヤモンド / 透明 / 合成装置 / アーク放電 / プラズマジェット / 磁場 |
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| Research Abstract |
本年度は,申請時の研究計画通り,以下のように研究を行った.
まず,ダイヤモンドの高速合成に適したアーク放電プラズマジェットCVD法に磁場を作用させた場合,得られるダイヤモンドがどのように変化するかを検討するため,磁場を印加できるアーク放電プラズマジェットCVD装置を設計,試作した.この装置の性能を評価をした後,メタン,水素およびアルゴンガスの3種の混合ガスにより生成されるプラズマジェットに磁場を作用させ,プラズマの状態がどのように変化するかを観察した.その結果,磁場を作用させることにより,プラズマジェット径が増加することがわかった.次に,磁場を作用させてダイヤモンド合成を行った結果,磁場の印加によりダイヤモンドの,膜厚分布が均一化されることがわかった.
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