1994 Fiscal Year Annual Research Report
シラン-フッ素系化学反応プロセスを利用するSi薄膜の低温結晶成長技術の開発
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06505001
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
半那 純一 東京工業大学, 工学部, 教授 (00114885)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岡安 良宣 東燃(株), 総合研究所・電子技術開発グループ, 研究員
熊谷 啓二 東燃(株), 総合研究所・電子技術開発グループ, グループリーダー
本間 健二 姫路工業大学, 理学部, 助教授 (30150288)
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| Keywords | CVD / シラン / フッ素 / アモルファスシリコン / 多結晶シリコン / 低温成長 / 反応流 |
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| Research Abstract |
(1)研究分担者である東燃(株)の研究グループの技術的助言とこれまで用いてきた実験装置から得られた知見をもとに、当該研究に用いる化学堆積法用のCVD反応装置の設計を行ない、装置を試作した(半那:東工大)。[装置概要:装置内容積351.(31cmφ×46cm)、高真空および低真空用独立2系統の圧力制御ユニット付き排気装置、ガス混合ノズル(70mmφ)、基板サセプタ(75mmφ)、ノズル-基板間可動距離(0〜300mm)]
Heガスを用いた排気能力試験、基板温度の制御性試験、装置気密度チェックなどのCVD装置としての基礎性能のチェックを行ない、期待された装置性能を確認した。
試作した装置を用いた実験を開始するに先立ち、気相反応系を含まないCVD系を用いて、サセプタの温度制御性能や温度分布の均一性などを調べ、その性能を確認した(研究発表参照:2件)。次に、シラン-フッ素による膜成長の予備実験を開始し、従来の小型装置での実験結果の追試を行なった結果、本膜成長法における成長プロセスの基本的な特徴を試作装置で確認した。この際、装置の大型化に伴う原料ガスの滞在時間の増大に起因する、成長膜の構造や堆積速度に関する新しい予備的な知見が得られた。
(2)シラン-フッ素反応流ダイナミックスの解析を行うための放電フロー装置に質量分析系を設置し、フロー中の励起種濃度を測定できるようにした(本間:姫路工大)。この測定系の基礎性能を確認するため、金属元素の反応流中での低分子との反応の速度測定し、所定の分析能力を確認した(研究発表参照:3件)。
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Research Products
(5 results)
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[Publications] K.Honma,M.Nakamura.D.E.Clemmer and I.Koyano: "Kineucs of Ti(a^3F,a^5F)and V(a^4F,a^6D)depletion by NH_3 and H_2S" J.Phys.Chem.98. 13286-13293 (1994)
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[Publications] K.Honma and D.E.Clemmer: "The lmportant of electrontransfer mechanism in reaction of neutral transition metal atoms" Laser Chem.(in press). (1995)
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[Publications] K.Honma: "Kineucs of Depletion of Electonlcally Excited Ti Atom by CH_4,C_2H_2,C_2H_4 and C_6H_6" J.Chinese Chem.Soc.,. (in press). (1995)
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[Publications] J.Hanna.T.Ohuchi and M.Yamamoto: "Early Stage of Polycrystalline Growth of Geand SiGe by Reactive Thermal CVD from GeF_4 and Si_2H_6" Mat.Res.Soc.Proc.(in press). (1995)
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[Publications] M.Yamamoto,Y.Takada and J.Hanna: "Selective Growth of Ge in GeF_4-Si_2H_6 system" Appl.Phys. Lett.3467-3469 (1994)
