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1995 Fiscal Year Annual Research Report

マイクロ波放電HgBrエキシマランプ励起、波長可変チタンサファイアレーザの開発

Research Project

Project/Area Number 06555017
Research InstitutionKeio University

Principal Investigator

小原 實  慶応義塾大学, 理工学部, 教授 (90101998)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 西田 直人  (株)東芝 生産技術研究所, レーザ研究所, 主任研究員
神成 文彦  慶応義塾大学, 理工学部, 助教授 (40204804)
真壁 利明  慶応義塾大学, 理工学部, 教授 (60095651)
Keywordsチタンサファイアレーザ / エキシマ / ランプ / マイクロ波放電 / レーザ
Research Abstract

マイクロ波放電HgBrエキシマランプによるTi:Al_2O_3励起を行い、以下の結果を得た。
(1)Ti:Al_2O_3レーザ結晶(FOM:200以上、Tiドープ濃度:0.03wt%)を横方向励起したところ、レーザ上準位密度は10^<12>/cm^3オーダーと見積もられた。以上から、レーザ上準位密度の増加によるレーザ利得の改善には、集光系の改善が必要であることが判明した。
(2)種々の集光系を設計試作し、集光励起実験を繰り返したが、開発した40WクラスのHgBrエキシマ光源ではレーザ発振を達成するには励起密度が不足であった。これは、マイクロ波を100kHzで変調したパルス放電励起でも、HgBr(B-X)蛍光は注入したマイクロ波に追随せず、直流の発光となった。このため、レーザの上準位寿命の3.2μs以内に発振しきい値を超える励起密度が得られなかった。光源のスケールアップが必要であることが判明した。
(3)Ti:Al_2O_3レーザ結晶をHgBrと同様のスペクトルのArレーザで励起し利得特性を調べ、励起密度とレーザ利得の関係を明らかにした。
(4)HgBr励起Ti:Al_2O_3レーザのコンピュータシミュレーションコードを構築し、レーザ動作特性を集光径とレーザスポット径との関係から解析し、理論的に必要な励起強度を明らかにした。

URL: 

Published: 1997-02-26   Modified: 2016-04-21  

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