1995 Fiscal Year Annual Research Report
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06640435
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| Research Institution | The University of Electro-Communications |
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Principal Investigator |
名取 晃子 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (50143368)
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| Keywords | Si(111) / 表面融解 / Tersoff-Dodsonポテンシャル / モンテカルロシミュレーション |
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| Research Abstract |
Si(111)面の7×7表面再構成温度T_Cより高温域の、いわゆる1×1構造の表面原子構造と原子ダイナミクスを調べた。
T_Cより高温域の1×Si(111)面には多くのSiアドアトムが存在することが、RHEED、LEED、STM等の実験で確認されている。3体力まで考慮されたTersoff-Dodson型の経験的原子間ポテンシャルを用い、Siアドアトムの表面ポテンシャルの計算と、1×Si(111)面の熱平衡状態での表面原子構造と原子ダイナミクスのモンテカルロシミュレーションを行なった。
Siアドアトムの最安定吸着サイトはT_4サイトである。Siアドアトムの表面ポテンシャル分布の計算より、Siアドアトムの表面拡散係数と蒸発速度の評価を行なった。
臨界濃度以上のSiアドアトムが存在する場合は、バルクの融点以下の高温でSi(111)面は表面融解を起こす事が示された。表面融解の層数は温度に依存する。融解層のSi原子の拡散係数は、Siアドアトムの拡散係数と同じ程度の大きさを持つが示された。
以上の結果は現在論文にまとめており、Surface Scienceに投稿予定でいる。
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