1994 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
06640469
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
長谷川 達生 東京大学, 教養学部, 助手 (00242016)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鹿児島 誠一 東京大学, 教養学部, 教授 (30114432)
|
|---|
| Keywords | BEDT-TTF / TCNQ誘導体 / フィリング制御 / 電荷移動錯体 / 反強磁性相 |
|---|
| Research Abstract |
BEDT-TTF(以下、ET)電荷移動塩の多くは、二次元伝導層を有しそれを舞台に超伝導、電子相関効果等数多くの興味ある現象が見出され盛んに研究されている。本研究は、ET系におけるフィリング制御、多元化による新たな電子相発現の可能性を探索しようとするものである。本年度では、対象物質として、ETと有機アクセプター分子(TCNQ誘導体)を組み合わせた電荷移動錯体を選んだ。この系を選んだ理由としては、アクセプター分子が中途半端な電荷移動量をとり得るため、分子の化学修飾、圧力印加等の方法によりETバンドのフィリング自由に制御できると期待出来るからである。
本年度行なった研究の方針は、(ET)(F_nTCNQ)(n=0,1,2,4)の合成と、(ET)(F_nTCNQ)_x(F_mTCNQ)_yと書ける三元系ないし混晶化合物の合成探索、及びこれらの物性測定としてまとめられる。ここで、TCNQ誘導体F_nTCNQは、付加するフッ素数により電子親和力が変化する。F_1TCNQとF_2TCNQは、簡便な新しいルートで合成した。以下、現在までに新たに合成した物質とその物性を列挙する。
・(ET)(F_1TCNQ):金属的。
・(ET)(F_2TCNQ):新しいタイプの交互積層型、T_N=30Kの反強磁性体。
・(ET)(F_4TCNQ):(ET)(F_2TCNQ)と同じ構造、T_N=14Kの反強磁性体。
この様に、本系は、TCNQが強い電子反発のため局在しやすく、且つ次元性が高いためパイエルス相が抑制され、金属相、反強磁性相が多く現れることが分かった。
・(ET)(F_2TCNQ)_x(F_2TCNQ)_<1-x>:x=0、x=1に比して、0<x<1では伝導度が急激に上昇し、x=0.5において伝導度は最も高く低温まで金属的な挙動を示した。
ここで、x=0では、ETの価数は0.5、x=1ではETの価数は1である。
|
