1994 Fiscal Year Annual Research Report
ホモエピタキシ-基板用のGaNバルク単結晶の電気伝導度制御に関する研究
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06650014
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
後藤 英雄 名古屋大学, 工学部, 助教授 (00195942)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
デートプロム ティーラデ 名古屋大学, 工学研究科, 特別研究員
平松 和政 名古屋大学, 工学部, 助教授 (50165205)
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| Keywords | GaN / バルク単結晶 / ハイドライド気相成長 / キャリア濃度 / 伝導性制御 / SiCl_4 / 抵抗率 / ホモエピタキシ- |
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| Research Abstract |
現在、ZnOバッファ層を介したハイドライド気相成長(HVPE)法を用いて、GaNバルク単結晶の作製を行っている。この方法で得られたGaNバルク単結晶は高純度かつ高品質であり、約10^<16>cm^<-3>の低キャリア濃度の結晶となる。この試料は数Ω・cmの高抵抗率であるために、素子応用のためには低抵抗なp型あるいはn型のバルク単結晶が望まれている。そこで、低抵抗n型のバルク単結晶あるいはp型単結晶膜の作製を試みている。GaNのHVPE成長において窒素希釈のSiCl_4ガスによりSiをn型ドーパントとして添加し、室温でのキャリア濃度が10^<18>cm^<-3>程度、抵抗率が約10^<-2>Ω・cmの低抵抗率n型の膜を作製する事ができた。また、HVPE成長で作製したアンドープGaNバルク単結晶を基板として、有機金属化学気相成長法によりMgドープGaNのホモエピタキシ-を行った。この膜は、従来のような電子線照射処理や熱アニール処理を行う事なく、as-grownで光励起によって強い青色発光を示した。また、この試料からLEDを作製し波長430nmにピークを持つ発光が得られた。さらに、MgドープGaNがp型伝導性を示す事も示唆された。
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