1994 Fiscal Year Annual Research Report
ACプラズマアシストCVDによるSi基板上へのSiC結晶成長の低温化と大面積化
| Project/Area Number |
06650015
|
|---|
| Research Institution | Aichi University of Education |
|---|
Principal Investigator |
清水 秀己 愛知教育大学, 教育学部, 助教授 (70126936)
|
|---|
| Keywords | プラズマアシストCVD / 3C-SiC / ヘテロエピタキシャル / 低温化 / 大面積化 / プラズマプロセシング / プラズマ発光分光分析 / プラズマ温度 |
|---|
| Research Abstract |
ACプラズマCVD装置(現有設備)を用いてSi基板上への3C-SiC単結晶成長のヘテロエビタキシャル成長の低温化と大面積化を主たる目的として、今年度は大面積化にむけてACプラズマCVD装置の改良とプラズマ計測を中心に行った。申請者は、通常のプラズマブロセシングで使われる圧力よりも高い圧力でプラズマを利用しているため大面積化は困難である。しかし、プラズマ電極を単純に並列に配列し、プラズマが励起される実効面積を増加させることによって大面積化は可能であると予想した。
プラズマを安定にするためには電極の強制冷却が必要であり、4つのプラズマ電極を並列に配列した。プラズマが励起されたのは、1つのギャップか2つのギャップかのいずれかであった。3つのギャップに同時に励起されることはなかった。1つのギャップだけに励起されるときはプラズマは安定で、供給電流を増加するとプラズマ面積が増加した。一方、2つのギャップに励起されるときは、かなり偶然に作用されており、励起される確率は低い。しかし供給電流とともにプラズマ面積は増加するが、ある一定以上の電流では1つのギャップに移行する。プラズマ発行分光分析により、1つのギャップならびに2つのギャップともに電子温度は4000〜5000K、ガス温度は1500〜2500Kであり、過去のデータと同様な値を示しており、十分SiC結晶成長のアシストとして利用できるプラズマである。
なお、2つのギャップにプラズマが励起される確率が低いことと、電流を増加させると、ある一定の電流値で一方だけに移行する不安定性があるため現在さらに電極を改良中である。
|
Research Products
(1 results)
