1994 Fiscal Year Annual Research Report
有機金属化学気相法によるp-n接合テルル化亜鉛発光素子の試作と特性
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06650368
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| Research Institution | Saga University |
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Principal Investigator |
小川 博司 佐賀大学, 理工学部, 教授 (10039290)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
西尾 光弘 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助教授 (60109220)
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| Keywords | MOVPE / ZnTe / オーミックコンタクト |
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| Research Abstract |
発光ダイオードを実現する上での重要な因子は、p-n接合と電極形成であり、それぞれについて下記のとうり研究を行った。
〔p-n接合の形成〕: ディメチル亜鉛(DMZn)とディエチルテルル(DETe)を原料ガスとし、トリエチルアルミ(TEAl)をn形のドーパントとした有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)を用いて、ブリイジマン法にて育成したp形のテルル化亜鉛基板上にホモエピタキシャル成長を行った。得られた成長層は、低抵抗でn形の電導形(例えば、〜0.3Ω・cm、移動度 〜200cm^2/V・s)を示した。そこで、n形の成長層を再現性良く、かつ制御性良く得るための成長条件とド-ピング条件を確立した。また、ホトルミネッセンセンス法による光学的評価を行った所、A1が結晶中に有効に取り込まれている事が判った。
〔電極形成及びダイオード特性〕: 金(Au),マンガン(Mn)及び タングステン(W)等を電極材とし、メッキ法、真空蒸着法等を用いて電極形成を行った。電極としての適応性を電気的方法等を用いて評価した所、Au/Wの二層構造が最適であった。試作したダイオードは、典型的な特性を示したが、充分な電流密度が得られず、発光には到らなかった。その原因として電極のオーミックコンタクトの問題が考えら、電極材、構造及び形成方法についてのより一層の研究が必要である。
本研究の成果の一部は、Jpn.J.Appl.Phys.vol.33(1994)pp.L980 等に報告した。
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Research Products
(4 results)
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[Publications] 小川博司: "Growth of low-resistivity n-type ZnTe by metalorganic Vapor Phase epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys. 33. L980-982 (1994)
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[Publications] 小川博司: "Low temperature growth of ZnTe by Synchrotron radiation Using metalor-ganic Source" J.Vac.SciTechnol.A12. 278-281 (1994)
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[Publications] 小川博司: "Synchrotron radiation excited growth of ZnTe Using metalorganic Sources" J.Cryst.Growth. (in press).
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[Publications] 小川博司: "Photoluminescence Properties of ZnTe layers grown by photo-assisted MOVPE" J.Cryst.Growth. (in press).
