1995 Fiscal Year Annual Research Report
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06650371
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| Research Institution | Hosei University |
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Principal Investigator |
原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
浜中 広見 法政大学, 工学部, 教授 (10061235)
山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
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| Keywords | スパッタ / メタル膜 / ビーム角 / コリメータ |
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| Research Abstract |
超LSIに用いる電極をスパッタ法による堆積する場合の新しい現象に関する研究を行い十分な成果が得られた。これらの成果は、学問的にも実用的にも有用なものと考える。
微細化された、とくに1/4ミクロン以下のパターンでは従来のスパッタ法を用いるとコンタクト在部には膜がほとんど堆積しないことが知られている。
本研究では、スパッタビームの直進先を高めるため、コリメータを用いることを提案し高アスペクト比のコリメータを通過するのに必要なビームについて解析を行った。
とくに、このスパッタに必要なビーム角度として直進性の強いターゲットをターゲットメーカーに依頼、試作してもらい用いた。
これらの研究結果からコリメーションスパッタに用いるターゲットも明らかになった。
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Research Products
(11 results)
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[Publications] 原: "Alloyed Schottky Barrier in GaAs MESFETs: TiAs/Ti_2Ga_3 Double layer" 354-367 (1995)
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[Publications] 原: "Arsenic Ion Implantation into SIMOX Layers" Appl. Phys. Lett.
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[Publications] 原: "Stress Reduction in Al-Sc Interconnection Layers by Superplastic Deformation" J of Electrochemical Soc.
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[Publications] 原: "Grain Boundary Orientation in Al-Si-Cu Interconnection Measurement of the Tilt from the(III)Plane"
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[Publications] 原: "Formation of Ti_2N Layer Tilting of the(III)Al plane in Al-1.0%Si-0.5%Cu Interconnection Layers" J. Electronchem. Soc.
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[Publications] 溝口: "Raman Image Study of Flash-Lamp Annealing of Ion-Implanted Silicon" J of Appl. Phys. 77(7). 3388-3392 (1995)
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[Publications] 原: "Al-Si-Cu配線膜の(III)面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層" 電子情報通信学会論文誌. 305-310 (1995)
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[Publications] 原: "Stress Measurement in Al-Si-Cu interconnection Layers" J of Electrochemical Soc. 142. 1946-1950 (1995)
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[Publications] 原: "Thermal Stability in Al/Ti/GaAs Schottky Barrier" Japan J. Appl. Phys. 34. 800-802 (1995)
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[Publications] 原: "Carbon Ion Implantation in GaAs" Japan. J. of Appl. Phys. 34. 1021-1024 (1995)
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[Publications] 高松: "Characteristics of Photoacoustic Displacement for Silicon Damaged by Ion implantation" J. Appl. Phys. 78(3). (1995)
