1994 Fiscal Year Annual Research Report
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06650372
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| Research Institution | Musashi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
秋谷 昌宏 武蔵工業大学, 工学部, 助教授 (60231833)
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| Keywords | 三元合金膜 / エレクトロマイグレーション / LB膜 / 絶縁膜 |
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| Research Abstract |
Al-Mg-Siの三元合金膜の堆積においてはMg、Si等必要な含有量に対するスパッタ用ターゲットの用意が整い試料となる薄膜の堆積を行った。現在までに基準となるAl-Si膜を始めとして、1.6%、5.2%Mg含有膜の基礎評価を行い寿命時間として一桁以上のエレクトロマイグレーション耐性があることを確認した。またLB膜の堆積については平成6年9月末に搬入が終わった装置を用い、下地をSi基板として特性の評価を行った。その結果、絶縁膜の典型であるSiO_2膜に比べ誘電率はほぼ同等であるが絶縁耐圧は約1/2程度低い値となることが分かった。今後、パタン加工を行ったAl-Mg-Siの三元合金膜の上にLB膜ならびに窒化膜を堆積して より大きなエレクトロマイグレーション耐性の実現へ向けて実験を進める予定である。
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