1995 Fiscal Year Annual Research Report
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06650372
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| Research Institution | Musashi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
秋谷 昌宏 武蔵工業大学, 工学部, 教授 (60231833)
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| Keywords | 三元合金膜 / エレクトロマイグレーション / LB膜 / 絶縁膜 / 活性化エネルギー |
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| Research Abstract |
Al-Mg-Siの三元合金膜の堆積においては、基準となるAl-Si膜を始めとして、1.6%、5.2%Mg含有膜のエレクトロマイグレーション耐性の評価を行い寿命時間として一桁以上のエレクトロマイグレーション耐性があることを確認した。さらに表面保護膜の効果を見積もるために最初に1.6%Mgを含有したAl-Si金属薄膜の表面に通常良く用いられるSiN、又は表面を大気に晒して強制的に酸化膜(MgOやAl_2O_3)を形成した合金膜についてボイドの時間変化と抵抗値変化の関連並びにエレクトロマイグレーション耐性について検討した。その結果、表面保護膜を施したMg含有膜は大きな活性化エネルギーを持つと同時に寿命時間の改善が図れる事が分かった。さらにボイドの増加と深さ方向への広がりが寿命試験中の抵抗値上昇と密接に結び付いている事を確認した。なお、保護膜としてLB膜を堆積した試料については通電試験中の温度上昇によりLB膜が破壊され、十分な効果が観測出来なかった。
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[Publications] 秋谷昌宏: "「Mgを添加したAl-Si合金薄膜のEM特性」" 応用物理学会 薄膜表面分科会研究会、第2回研究会予稿. 11-12 (1995)
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[Publications] M. Akiya, K. Furesawa, H. Yamato: "「Void growth for SiN-passivated Mg-containing Al-Si alloys」" 2nd International Symposium on Metallic Multilayers(MML'95)Extended Abstract. 306-307 (1995)
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[Publications] M. Akiya, H. Yamato, K. Furusawa: "「Overcoating effects on electromigration in Mg-containing Al-Si alloys」" 188th Electrochemical Soc. Fall meeting Extended Abstract No. 532. 855-856 (1995)
