1994 Fiscal Year Annual Research Report

液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製法に関する研究

Research Project

Project/Area Number	06750328
Research Institution	Kyushu University
Principal Investigator	川崎仁晴九州大学, 工学部, 助手 (10253494)
Keywords	微粒子 / ダスト / パーティクル / シランプラズマ / アモルファスシリコン / 高速成膜 / プラズマCVD法 / 変調高周波放電法
Research Abstract	本研究の目的は,変調高周波放電法を用いて液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製の実現に向けての指針を得ることにある.このために,アモルファスシリコン成膜に用いられるシランプラズマ中のダストの蓄積と成長を抑さえるのに有効なプラズマのon,off期間,及びそのon,off期間と他のパラメータとの関係を明かにする必要がある.そこで高周波シランプラズマ中の微粒子成長過程を,レーザ散乱法(LLS),走査型電子顕微鏡(SEM)などを用いて調べた.その結果,微粒子は核発生,急速成長,成長飽和期の3つの過程を経て成長すること,急速成長期以降には,2種類のサイズグループの微粒子が同時に存在していること,急速成長は微粒子の凝集反応によって生じていることが明らかになった.以上の結果から,微粒子の核発生と急速成長が生じる前に放電をoffさせ,その間に放電領域内のガスを完全に交換することにより,微粒子の発生・成長を抑制できることが明らかになった.

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] 川崎仁晴: "Investigation of particulate growth processes in RF silane plasmas using light absorption and scanning electron microscopic method" Jpn.J.Appl.Phys.33. 4198-4201 (1994)
[Publications] 白谷正治: "Study on Growth Processes of particulates in helium-diluted silane RF Plasmas using scanning electron microscopy" Appl.Phys.Lett.65. 1900-1902 (1995)
[Publications] 渡辺征夫: "Effects of Particulates on He-SiH_4 modulated RF discharges" Plasma Source Sci.Technol. 3. 355-359 (1994)
[Publications] 白谷正治: "Formation processes of Particulates in Helium-Diluted silane RF Plasma" IEEE Trans.Plasma Sci.22. 103-107 (1994)
[Publications] 川崎仁晴: "Contribution of short-lifetime radicals(Si,SiH_2)to particulate growth in silane Plasma" 47th Annual Gaseous Electronics Conference. 39. 1491-1491 (1994)
[Publications] 川崎仁晴: "Study on particulate Growth Kinetics in RF silane plasmas: Si density measurment." 2nd Int.Conf.on Reactive Plasmas. 2. 163-166 (1994)

1994 Fiscal Year Annual Research Report

液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製法に関する研究

Principal Investigator

川崎 仁晴 九州大学, 工学部, 助手 (10253494)

Research Products

[Publications] 川崎 仁晴: "Investigation of particulate growth processes in RF silane plasmas using light absorption and scanning electron microscopic method" Jpn.J.Appl.Phys.33. 4198-4201 (1994)

[Publications] 白谷 正治: "Study on Growth Processes of particulates in helium-diluted silane RF Plasmas using scanning electron microscopy" Appl.Phys.Lett.65. 1900-1902 (1995)

[Publications] 渡辺 征夫: "Effects of Particulates on He-SiH_4 modulated RF discharges" Plasma Source Sci.Technol. 3. 355-359 (1994)

[Publications] 白谷 正治: "Formation processes of Particulates in Helium-Diluted silane RF Plasma" IEEE Trans.Plasma Sci.22. 103-107 (1994)

[Publications] 川崎 仁晴: "Contribution of short-lifetime radicals(Si,SiH_2)to particulate growth in silane Plasma" 47th Annual Gaseous Electronics Conference. 39. 1491-1491 (1994)

[Publications] 川崎 仁晴: "Study on particulate Growth Kinetics in RF silane plasmas: Si density measurment." 2nd Int.Conf.on Reactive Plasmas. 2. 163-166 (1994)

川崎仁晴九州大学, 工学部, 助手 (10253494)

[Publications] 川崎仁晴: "Investigation of particulate growth processes in RF silane plasmas using light absorption and scanning electron microscopic method" Jpn.J.Appl.Phys.33. 4198-4201 (1994)

[Publications] 白谷正治: "Study on Growth Processes of particulates in helium-diluted silane RF Plasmas using scanning electron microscopy" Appl.Phys.Lett.65. 1900-1902 (1995)

[Publications] 渡辺征夫: "Effects of Particulates on He-SiH_4 modulated RF discharges" Plasma Source Sci.Technol. 3. 355-359 (1994)

[Publications] 白谷正治: "Formation processes of Particulates in Helium-Diluted silane RF Plasma" IEEE Trans.Plasma Sci.22. 103-107 (1994)

[Publications] 川崎仁晴: "Contribution of short-lifetime radicals(Si,SiH_2)to particulate growth in silane Plasma" 47th Annual Gaseous Electronics Conference. 39. 1491-1491 (1994)

[Publications] 川崎仁晴: "Study on particulate Growth Kinetics in RF silane plasmas: Si density measurment." 2nd Int.Conf.on Reactive Plasmas. 2. 163-166 (1994)