1995 Fiscal Year Annual Research Report

集積化知能システム極限材料・プロセス

Research Project

Project/Area Number	07248106
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Research Institution	Toyo University
Principal Investigator	堀池靖浩東洋大学, 工学部, 教授 (20209274)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	安田幸夫名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) 松波弘之京都大学, 工学研究科, 教授 (50026035) 服部健雄武蔵工業大学, 工学部, 教授 (10061516) 鶴島稔夫九州大学, 工学部, 教授 (10236953) 白木靖寛東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)
Keywords	Si高精度化プロセス / Si / Ge歪超格子 / 極薄酸化膜 / 低抵抗コンタクト / 高アスペクト比プロセス / ヘテロ界面 / 欠陥緩和 / 無損傷化
Research Abstract	(白木)nチャンネルの歪みSi/SiGe選択ドープヘテロ構造をガス/固体ソースMBEで作製した。Siチャンネル幅が十分広い場合には、移動度は期待通りだったが、幅が狭くなると、界面の凸凹による移動度の制約が生じ、極端に狭い井戸では、ホッピング伝導が観測された。(服部)導電性プローブ/AFMで測定した膜厚約0.7nmのケミカルオキサイド膜を介したトンネル伝導が、膜中のSi-H結合をSi-O結合に変えることにより変化し、この変化がこの膜中のSi-H結合を介した電子のトンネル伝導によることを明らかにした。(鶴島)イオン照射非平衡点欠陥導入の緩和による原子の再配列効果において、FIBを用いて照射ド-ズレートを10^<13>〜10^<16>/cm^2に変化させ、損傷領域形成の動的挙動を調べ、緩和過程の特性時間と拡がりの特性長を推定する手法を開発した。(松波)酸素活性種を用いて300〜500℃で形成した極薄SiO_2膜では、堆積速度の基板温度依存性による活性化エネルギは熱酸化と比べて約1/10と低くく、またSiO_2/Si界面の形成過程は熱酸化膜と同様の機構を持つが、安定なSiO_2迄の遷移層の幅、構造は異なると考えられる。(堀池)水素終端Si表面へのF原子の初期暴露では、水素は除去されずにSi最表層に浸入し、原子状とSi-F結合の2状態を示す。また、正と負イオンの交互照射により、ノッチとRIEラグの無いエッチングを達成した。(安田)Ti/Si_<0.8>Ge_<0.2>/Siヘテロ構造コンタクト界面では、nとp-Siの両方に対しTi/Si系よりも低いショットキー障壁高さを示す。これは、700℃熱処理によりSi側にGeリッチ層が、金属側に仕事関数の低いC-54Ti(SiGe)_2が形成されたことによる。また、Ti/Si界面でのSi中へのTi原子拡散による欠陥準位は、Ti/Si/Ti積層構造にすることで著しく抑制された。

Research Products
(8 results)

All Other

All Publications (8 results)

[Publications] N. Usami, Y. Shiraki, and S. Fukatsu: "Intense photoluminescence from Si-based quantum well structures with neighboring confinement structure" J. Cryst. Growth. 157. 27-30 (1995)
[Publications] K. Saito, M. Matsuda, M. Yasutake and T. Hattori: "Electron Tunneling through Chemical Oxide of Silicon" Jpn. J. Appl. Phys.34. L609-L611 (1995)
[Publications] 鶴島稔夫: "半導体のイオン照射誘起欠陥とその動的振舞い=プロセス応用への展望=" 応用物理. 64. 1120-1123 (1995)
[Publications] 小池貴夫、小倉卓、冬木隆、松波弘之: "TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構" 信学技報. SDM78 (1995)
[Publications] Y. Sawa, H. Matsuda, H. Shindo and Y. Horiike: "Silicon Etching Employing Bipolar Ions in Plasma" Proc. of 12th Symp. on "Plasma Process". 517-520 (1995)
[Publications] H. Shinoda, M. Kosaka, J. Kojima, H. Ikeda, S. Zaima and Y. Yasuda: "Electrical properties of metal/Si_<-x>Ge_x/Si heterojunctions" Appl. Surf. Sci.(in press). (1996)
[Publications] 服部健雄: "固体表面分析II "Si酸化膜の成長のキャラクタリゼーション"に関する分担執筆pp.457-468" 講談社サイエンティフィク, 584 (1995)
[Publications] 権田俊一監修: "薄膜作製応用ハンドブック分担執筆pp.548-556" エヌ・ティー・エス, 1187 (1995)

1995 Fiscal Year Annual Research Report

集積化知能システム極限材料・プロセス

Principal Investigator

堀池 靖浩 東洋大学, 工学部, 教授 (20209274)

Research Products

[Publications] N. Usami, Y. Shiraki, and S. Fukatsu: "Intense photoluminescence from Si-based quantum well structures with neighboring confinement structure" J. Cryst. Growth. 157. 27-30 (1995)

[Publications] K. Saito, M. Matsuda, M. Yasutake and T. Hattori: "Electron Tunneling through Chemical Oxide of Silicon" Jpn. J. Appl. Phys.34. L609-L611 (1995)

[Publications] 鶴島稔夫: "半導体のイオン照射誘起欠陥とその動的振舞い=プロセス応用への展望=" 応用物理. 64. 1120-1123 (1995)

[Publications] 小池貴夫、小倉卓、冬木隆、松波弘之: "TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構" 信学技報. SDM78 (1995)

[Publications] Y. Sawa, H. Matsuda, H. Shindo and Y. Horiike: "Silicon Etching Employing Bipolar Ions in Plasma" Proc. of 12th Symp. on "Plasma Process". 517-520 (1995)

[Publications] H. Shinoda, M. Kosaka, J. Kojima, H. Ikeda, S. Zaima and Y. Yasuda: "Electrical properties of metal/Si_<-x>Ge_x/Si heterojunctions" Appl. Surf. Sci.(in press). (1996)

[Publications] 服部健雄: "固体表面分析II "Si酸化膜の成長のキャラクタリゼーション"に関する分担執筆pp.457-468" 講談社サイエンティフィク, 584 (1995)

[Publications] 権田俊一監修: "薄膜作製応用ハンドブック 分担執筆pp.548-556" エヌ・ティー・エス, 1187 (1995)

堀池靖浩東洋大学, 工学部, 教授 (20209274)

[Publications] 権田俊一監修: "薄膜作製応用ハンドブック分担執筆pp.548-556" エヌ・ティー・エス, 1187 (1995)