1995 Fiscal Year Annual Research Report
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07305049
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Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
尾浦 憲治郎 大阪大学, 工学部, 教授 (60029288)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
生地 文也 九州共立大学, 工学部, 教授 (00093419)
吉村 雅満 豊田工業大学, 工学部, 助教授 (40220743)
高萩 隆行 広島大学, 工学部, 教授 (40271069)
本郷 昭三 神戸大学, 工学部, 助教授 (00029232)
綿森 道夫 大阪大学, 工学部, 助手 (80222412)
上田 一之 豊田工業大学, 工学部, 教授 (60029212)
斉木 幸一郎 東京大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (70143394)
塚田 捷 東京大学, 大学院・理学研究科, 教授 (90011650)
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| Keywords | 表面水素 / 水素生態 / イオンビーム / エピタキシ- / STM |
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| Research Abstract |
水素は単純な元素であるがゆえに、特に表面に存在する場合最も検出が困難な元素である。限られた幾つかの手法により、その存在量、電子状態、原子配列がそれぞれ断片的に調べられ推測に基づいて議論されているのが現状である。本研究では、それぞれ異なった実験手法に実績を有する研究者および理論研究者が集中的に研究を行ない、半導体表面における水素の生態やダイナミクスを解明することを目的とした。
平成7年度には、主として各研究者が連絡を密にとりながら、水素終端シリコン表面上に蒸着した金属原子の挙動について、水素の果たす役割を、構造的見地か、化学結合状態評価から、そして理論計算から調べ、明らかにしてきた。特筆すべき結果としては、シリコン基板上にIn(インジウム)を蒸着した場合、Inの蒸着量と基板温度によって様々な構造を有するが、これに水素を曝露することによって得られる構造変化を精密に調べ、水素吸着によって誘起されたIn原子の挙動が、表面構造の違いに大きく依存することを見い出した。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] 尾浦憲治郎: "半導体表面における水素媒介エピタキシ-" まてりあ.
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[Publications] K.Oura 他 4名: "Scanning tunneling microscopy observation of hydrogen-indvced Ag cluster formation of the Si(111)surfaces" J.Vac.Sci.Technol. A13. 1438-1442 (1995)
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[Publications] K.Oura 他 5名: "The initral stage of Pb tnin film growth on Si(111)surface studied by TOF-ICISS" Nucl.Instr.& Methods. B(印刷中). (1996)
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[Publications] K.Ueda: "Highly Sensitire defection of oxygen from Si(111)7×7 surface by time-of-flight type electron stimulate-desorptron spectroscopy" Jpn.J.Appl.Phys.34-3. 1648-1651 (1995)
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[Publications] K.Ueda 他2名: "Oxygen adsorption study on Rh(100)surfaces by electron stimulated desorption" Jpn.J.Appl.Phys.34-7A. 3662-3665 (1995)
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[Publications] K.Ueda 他1名: "Surfactant effect of hydrogen for nickel growth on Si(111)7×7 svrface" Svrf.Sci. (印刷中).
