1997 Fiscal Year Annual Research Report
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07405017
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| Research Institution | KYOTO UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
藤田 茂夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (30026231)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 助教授 (30214604)
船戸 充 京都大学, 工学研究科, 助手 (70240827)
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 助教授 (20135536)
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| Keywords | 光触媒反応 / 反応過程 / ZnCdSSe / 不純物添加 / p型伝導性制御 / 量子構造 / 電流注入レーザ発振 |
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| Research Abstract |
本研究は、化合物半導体の結晶成長における新しい光化学反応であるとしてわれわれが先に見いだした表面光触媒反応に関して、反応のダイナミクスを解明し、それを制御し、不純物添加や物性制御によりデバイス応用に向けた新技術としての進展を図ることを目的として行ったものである。以下に、得られた結果を示す。
1.成長のごく初期は、原料の熱分解が主で光触媒反応は徐々に支配的な過程となる、1分子層程度のステップを形成しつつ成膜が進む、基板表面のストイキオメトリと成膜機構に関連がある、などが明らかになった。
2.ZnSe系半導体の気相成長で困難なp型制御にこの方法を適用し、熱処理技術と併用することによって、10^<17>cm^<-3>台の実効アクセプタ密度を得た。
3.p型ZnSeおよびZnSSeの光・電子物性評価から、欠陥に起因した非輻射再結合中心が生じやすいことがわかった。この要因としては、Zn、Se空孔が考えられる。これは、成長時の窒素アクセプタ取り込みのダイナミクスによって支配されている現象であることから、成長条件にフィードバックして高品質化を達成した。
4.ZnCdSe/ZuSe/ZnSSe量子井戸レーザの作製に光触媒反応を応用し、気相成長によるデバイスで77Kにおける連続発振を初めて得た。
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[Publications] 藤田静雄: "Fabrication of p-type Zn (S) Se layers and pn junction laser structures by MOVPE" Physica Status Solidi (b). 202. 707-715 (1997)
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[Publications] 藤田茂夫: "Stimulated Emission from ZnSe-Based Laser Diode Structure Grown by Photoassisted MOVPE with Annealing Technique" Extended Abstracts of 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials. 214-215 (1997)
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[Publications] 藤田茂夫: "Fabrication of ZnSe-Based Laser Diode Structures by Photoassisted MOVPE" Journal of Crystal Growth. (印刷中).
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[Publications] 藤田静雄: "Growth of p-type Zn (S) Se layers by MOVPE" Journal of Crystal Growth. (印刷中).
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[Publications] 船戸充: "A comparative stuby on deep levels in p-ZnSe grown by MBE,MOMBE and MOVPE" Journal of Crystal Growth. (印刷中).
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[Publications] 藤田茂夫: "Semiconductor and Semimetals 44 (分担執筆)" Academic Press, 338 (1997)
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[Publications] 藤田茂夫: "Properties of Wide Bandgap Semiconductors (分担執筆)" INSPEC Publication, 247 (1997)
