MBE法で製作した磁性金属人工格子の円偏光放射光内殻磁気円二色性による研究

1995 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 07454088
• Research Category: Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
• Research Institution: National Laboratory for High Energy Physics
• Principal Investigator: 小出 常晴 高エネルギー物理学研究所, 放射光実験施設, 助手 (10150012)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 設楽 哲夫 高エネルギー物理学研究所, 放射光実験施設, 助教授 (50132684)
• Keywords: 磁性金属人工格子 / 分子線エピタキシ-法 / 円偏光放射光 / 内殻吸収 / 磁気円二色性

Research Abstract

1.分子線エピタキシ-(MBE)装置用の試料製作超高真空槽(液体窒素シュラウドを含む)を設計・製作した。この超高真空槽は、E型電子銃、クヌードセンセル、水晶振動子膜厚モニター、反射高速電子線回折(RHEED)用電子銃、低速電子線回折(LEED)装置、オージェ電子分光装置、試料マニピュレーター、真空排気装置、のぞき窓、試料基板導入等の各種ポートを取付けられる構造とした。この真空槽は、Heリ-クテストを行った結果リ-クはなく(リーディテクターの検出限界2x10^<-10>Torr・1/s以下)、超高真空仕様のための第1条件を満たした。さらに、4001/sターボ分子ポンプで排気しつつ24時間ベ-キングを行った結果、主排気装置として5001/sイオンポンプとチタンサブリメーションポンプを用いることにより、〜4x10^<-11>Torrの到達真空度が得られた。これはMBE装置用真空槽として、十分良い超高真空と見なされる。
2.磁性金属人工格子・多層膜の積層を1原子層のオーダーで制御するために、反射高速電子線回折(RHEED)強度振動を利用する。そのための主装置として、RHEED用電子銃およびRHEED用電源を製作した。RHEED用電子銃は、設計仕様であるビームスポット径φ90μm以下の条件を十分に満足した。また、RHEED用電源は、安定でかつ最大加速電圧30kVという当初の仕様を満たした。
3.今後、試料製作超高真空槽に、1.項で述べた各種の装置を取付け・組み込んで、MBE主装置を完成させる予定である。