1995 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
07455067
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
|
| Research Institution | Tokyo Metropolitan University |
|---|
Principal Investigator |
古川 勇二 東京都立大学, 工学部, 教授 (10087190)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
角田 陽 東京都立大学, 工学部, 助手 (60224359)
諸貫 信行 東京都立大学, 工学部, 助教授 (90166463)
|
|---|
| Keywords | 電子線描画 / 異方性エッチング / 仕上がり形状 |
|---|
| Research Abstract |
マイクロ機械要素の製作技術として期待されるエッチング加工では,結晶レベルでの幾何学的精度でマイクロ加工が実現できるが,エッチング加工では,一般的に前工程として,単結晶シリコンの結晶方位を同定し,方位にあわせたマスクパターンを生成することが必要である.マスクの作製には高精度でかつ汎用性が期待される電子線描画手法が一般的には用いられるが,特定のマスクに対する特定の加工条件下におけるレジスト加工特性が限定的に調べられているにすぎない.そこで,本研究では,レジスト加工法としての電子線描画手法について,加工学的見地より,その加工機構を実験的に解明し,マイクロ機械要素製作のための電子線加工技術を確立することを目的とした.
今年度は,電子線特性が点描画および線描画精度に及ぼす影響の解析を行った.電子線描画装置(マイクロドラフタ(日立製作所))を用いて,電子線束径,加速電圧,電流および描画時間(照射時間)を変えて,点および線描画を行った時の有機レジスト膜マスクパターンの加工穴仕上がり精度を,金属顕微鏡,レーザ顕微鏡,走査型電子顕微鏡(SEM)等にて測定・定量的な評価した.
さらに,点および線マスクパターンを用いた場合の異方性エッチングの精度評価として,エッチング仕上がり精度からマスクパターンの仕上がり精度と整列度の影響を実験的に解析・評価した.
|
