自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究

1996 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 07505011
• Section: 試験
• Research Institution: Osaka Electro-Communication University
• Principal Investigator: 佐々木 昭夫 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (10025900)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 早藤 紀生 三菱電機KK. 光, マイクロ波デバイス研究所, 主事研究員 ; 若原 昭浩 京都大学, 工学研究科, 助手 (00230912)
• Keywords: 自己形成量ドット / 不規則量子構造 / キャリア局在 / 走査型トンネル顕微鏡 / 光励起発光

Research Abstract

真空対応の走査型トンネル顕微鏡の観測システムの調査を行う。圧電体に加える高圧増幅機の絶縁破壊により、観測中断が余儀なくされたが、設備の米国からの取り寄せを終えて、現在、真空中での表面観測が出来るようになっている。今後、早急に劈開面観察し得るよう顕微鏡の改造を行う。それまでに、とりあえず空気中で規則超格子、不規則超格子のSTM像の観察を行った。不規則超格子独自の像らしきものを観察し得たが、断定するまでには至っていない。発光性能を調べるための部品、設備を購入し得て、これからシステムを構成し、測定し得るようにするところである。ローレンスバ-クレイ国立研究所の協力を得て、真空中での不規則超格子、量子ドット内にキャリアが局在することを実証するための実験を進めている。
InP/GaP量子ドットからの光励起発光を観測し得た。500℃で成長したものは量子ドットが大きく転位が発生し発光しない。400℃で成長したものから発光が見られた。
InAs/GaAs、InP/GaP量子ドットでの本年度の成果を生かし、次年度では当初予定のGaInN/AlN/GaN不規則量子構造の実現、発光機能を調査し、デバイスに対する知見を得ていく。

Research Products

• [Publications] Takashi Tokuda: "Plasma-excited orgarometallic vapor phase epitaxy of GaN on (0001) sapphire" J. Crystal Growth. 174(印刷中). (1997)
• [Publications] Akihiro Wakahara: "Strain effects on photoluminescence properties of Ge/S : disordered superlattices" J. Appl. Phys.(掲載予定). (1997)