1995 Fiscal Year Annual Research Report
低次元構造のIII族窒化物による極限機能デバイスの試作研究
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07505012
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Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (A)
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| Research Institution | Meijo University |
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Principal Investigator |
赤崎 勇 名城大学, 理工学部, 教授 (20144115)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
天野 浩 名城大学, 理工学部, 講師 (60202694)
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| Keywords | 量子井戸レーザ / III族窒化物 / 短波長レーザダイオード / UVフォトダイオード / マイクロ波素子 |
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| Research Abstract |
本年度は、以下の3項目につき検討を行った。項目事に成果を纏める。
(1)二次元量子井戸活性層を用いたIII族窒化物レーザーダイオードの試作研究
MOVPE法、及びMBE法を用いてGaInN/GaN二次元量子井戸構造を作製した。断面透過電子顕微鏡観察及び高分解能X線回折測定より、得られた多層構造が高品質で界面急峻であることを確かめた。層数の異なる二次元量子井戸を活性層とする紫色発光素子を試作し、層数とともに発光効率が向上することを確かめた。最も多層にしたLEDは市販の最高輝度青色LEDの約二倍の光出力を示した。また、極薄膜活性層SQWを試作し、最短波長LDの実現に成功した。
(2)ダブルヘテロ構造を利用した波長選択型紫外線検出器
AlGaN/GaN及びGaN/GaInNDH構造による波長選択型PDを試作し、設計通りの波長選択性を得た。
(3)二次元電子ガスを用いたマイクロ波増幅器
AlGaN/GaN界面での二次元電子ガスを用いたFETを試作し、遮断周波数77GHzと最も高い値を得た。
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[Publications] H. Sakai et. al.: "GaN/GaIuN/GaN double beterostructure light emritting daak fabricated using plasma-assistod molecular beam epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L1429-L1431 (1995)
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[Publications] I. Akasaki et al.: "Stimulated eruision by eurrent injection from an seGaN/Gax/GaInN quantion well device" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L1517-L1519 (1995)
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[Publications] H. Amano et al.: "Fabrication and Properties of AlGaN/GduN double hoterostrutire grown on bH-SiC(0001)Si" Proc. Mater. Res. Soc.,1995. (to be published).
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[Publications] H. Amano et al.: "Mechanism of the stimulated emission in groupIII mitride and prospects of short wave lenghth laer diode" Proc. Topical Workshopon groupIII Vthrides 1995. (to be published).
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[Publications] H. Amano et al.: "Isues for realizing practical laser diode based on group III nitrides" Proc. ISBLLED,1996 Chiba. (to be published).
