1995 Fiscal Year Annual Research Report

新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究

Research Project

Project/Area Number	07555100
Research Category	Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	竹田美和名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	澤井巳喜夫サムコインターナショナル研究所, 技術開発部, 研究員立田利明サムコインターナショナル研究所, 技術開発部, 研究員大柳宏之電子技術総合研究所, 電子基礎部, 研究員田渕雅夫名古屋大学, 工学部, 助手 (90222124) 藤原康文名古屋大学, 工学部, 助教授 (10181421)
Keywords	半導体 / 絶縁体 / 金属 / 複合構造 / 量子機能 / 作製装置
Research Abstract	半導体/絶縁体/金属のような全く異なる素材を接合することは、一般には非常に困難である。また、量子機能を発現させるためには、ヘテロ界面が1原子層のオーダーで急峻に組成または構造が変化する必要がある。このような複合構造の作製は、従来から存在する成長方法では不可能である。我々は、新しく設計した成長装置と、1原子層のレベルで界面構造を明らかにできる蛍光EXAFS法を用いて、このような構造と量子機能を実現するための作製装置の開発と研究を行うため、本研究を遂行している。成長装置は、相異なる素材の原料がお互いに触れる時間と濃度が最少となるよう、急峻なガス切り換えと、切り換えに伴う圧力バランスの崩れを最少とするよう設計した。本年度はその中心部分となるプロセスユクットを作製した。現有のガス供給槽と水素純化装置を利用して、早急な稼動を行うよう計画が進行している。異なるV族元素からなる界面構造及び半導体/半金属の界面構造の成長条件依存性を、放射光を用いた蛍光EXAFS法及びX線CTR散乱法(それらの評価法の開発と展開は我々の従来からの研究成果である)により、1原子層レベルで明らかにするとともに、従来、III族元素は急峻に切り替わるを信じられていた神話が、これらの評価法によって、完全に崩れた。我々は、成長法と構造に対する考え方の基本を根本的に改める必要がある。これらは、いずれも、II.研究発表の項に示す論文及び国際会議、国内会議等で報告している。

Research Products
(5 results)

All Other

All Publications (5 results)

[Publications] 竹田,田渕他: "蛍光EXAFS法によるInP中に均一ドープしたEr原子周囲の局所構造解析" 電子情報通信学会技報. ED95-117. 7-12 (1995)
[Publications] 竹田,藤原他: "Erをδド-ピングしたInPのX線CTR散乱法による界面構造解析" 電子情報通信学会技報. ED95-118. 13-18 (1995)
[Publications] 田渕,竹田他: "Group-V atoms.exchange due to exposure of InP surface to AsH_3(+PH_3) revealed by X-ray CTR scattering" J.Electron Mat.(印刷中). (1996)
[Publications] 田渕,竹田他: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering" Institute of Physics Conference Series. (印刷中). (1996)
[Publications] 田渕,竹田他: "As desonption from InGaAs morolayer during PH_3-purge in OMVPE growth of InP/InGaAs(IML)/InP heterostructures measured by X-ray CTR" Indium Phosphide and Related Materials. (印刷中). (1996)

1995 Fiscal Year Annual Research Report

新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究

Principal Investigator

竹田 美和 名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)

Research Products

[Publications] 竹田,田渕 他: "蛍光EXAFS法によるInP中に均一ドープしたEr原子周囲の局所構造解析" 電子情報通信学会技報. ED95-117. 7-12 (1995)

[Publications] 竹田,藤原 他: "Erをδド-ピングしたInPのX線CTR散乱法による界面構造解析" 電子情報通信学会技報. ED95-118. 13-18 (1995)

[Publications] 田渕,竹田 他: "Group-V atoms.exchange due to exposure of InP surface to AsH_3(+PH_3) revealed by X-ray CTR scattering" J.Electron Mat.(印刷中). (1996)

[Publications] 田渕,竹田 他: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering" Institute of Physics Conference Series. (印刷中). (1996)

[Publications] 田渕,竹田 他: "As desonption from InGaAs morolayer during PH_3-purge in OMVPE growth of InP/InGaAs(IML)/InP heterostructures measured by X-ray CTR" Indium Phosphide and Related Materials. (印刷中). (1996)

竹田美和名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)

[Publications] 竹田,田渕他: "蛍光EXAFS法によるInP中に均一ドープしたEr原子周囲の局所構造解析" 電子情報通信学会技報. ED95-117. 7-12 (1995)

[Publications] 竹田,藤原他: "Erをδド-ピングしたInPのX線CTR散乱法による界面構造解析" 電子情報通信学会技報. ED95-118. 13-18 (1995)

[Publications] 田渕,竹田他: "Group-V atoms.exchange due to exposure of InP surface to AsH_3(+PH_3) revealed by X-ray CTR scattering" J.Electron Mat.(印刷中). (1996)

[Publications] 田渕,竹田他: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering" Institute of Physics Conference Series. (印刷中). (1996)

[Publications] 田渕,竹田他: "As desonption from InGaAs morolayer during PH_3-purge in OMVPE growth of InP/InGaAs(IML)/InP heterostructures measured by X-ray CTR" Indium Phosphide and Related Materials. (印刷中). (1996)