1997 Fiscal Year Annual Research Report
新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究
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07555100
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| Research Institution | NAGOYA UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
澤井 巳喜夫 サムコ, インターナショナル研究所・技術開発部, 研究員
立田 利明 サムコ, インターナショナル研究所・技術開発部, 研究員
野々垣 陽一 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40300719)
田渕 雅夫 名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124)
藤原 康文 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421)
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| Keywords | 半導体 / 絶縁体 / 金属 / 複合構造 / 量子機能 / 作製装置 |
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| Research Abstract |
本研究における具体的な課題は、大きく分けて、新しい設計思想に基づく有機金属気相エピタキシ-成長装置を製作することにより、1原子層レベルの急峻な超薄膜複合構造の作製方法を確立すること、並びに、その超薄膜複合構造を蛍光EXAFS法及びX線CTR法により評価し、構造の1原子層単位での制御ができていることを確認することである。
1.超薄膜複合構造作製装置に関して
成長装置の開発思想として、1)縦型の反応管を持つこと、2)減圧成長であること、3)ガス切り替えが可能な限り速いことと同時に切り替えによる圧力バランスが乱されないこと、の3点を大きい指針とした。1)と2)は、本装置を基に将来X線を反応管に導入し、本研究のもう一つの課題である構造評価を成長の「その場」で行うことを考えているからである。この研究は、本年度採択された基盤研究(A)(2)により一部遂行されている。3)は本来の急峻な界面作製上当然必要とされることである。
本装置により、多彩なモードによる超薄膜成長が可能になり、また、原料ガス供給モードも従来では考えられない形態が可能となった。
2.構造の原子層制御の評価に関して
本課題については、蛍光EXAFS法及びX線CTR法によって、1)構造の1原子層単位で評価を行うこと、並びに、2)上記の作製装置により作製した超薄膜複合構造を同じく1原子層単位で評価・確認することである。X線CTR法を更に改良し解析に工夫を施すにより多くの成果を得た。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] 田渕,竹田 他: "Group-V Atoms Exchange Due to Exposure of InP Surface to A_sH_3(+PH_3) Revealed by X-Ray CTR Scattering" Journal of Electronic Materials. 25. 671-675 (1996)
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[Publications] 田渕,竹田 他: "Distribution of As Atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP hetero-structures measured by X-ray CTR Scattering" Institute of Physics Conference Series. 145. 227-232 (1996)
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[Publications] 田渕,竹田 他: "Exafs and X-Ray CTR Scattering Characterization of Er Doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings. 422. 155-160 (1996)
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[Publications] 大渕,竹田 他: "Atom configuration study of δ-doped Er in InP by fluorescence" Applied Surface Science. 117/118. 781-784 (1997)
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[Publications] 藤田,竹田 他: "Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by X-Ray CTR Scattering" Applied Surface Science. 117/118. 785-789 (1997)
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[Publications] 竹田,藤原 他: "Layer Structure analysis of Er δ-doped InP by X-ray Crystal truncation rod scattering" Journal of Applied Physics. 82. 635-638 (1997)
