1997 Fiscal Year Annual Research Report
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07555273
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| Research Institution | YAMANASHI UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
兒嶋 弘直 山梨大学, 工学部, 教授 (90020346)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
綿打 敏司 山梨大学, 工学部, 助手 (30293442)
田中 功 山梨大学, 工学部, 助教授 (40155114)
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| Keywords | 浮遊帯域法 / 赤外線集中加熱装置 / ド-ナツ型 |
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| Research Abstract |
面内の温度分布が均一なド-ナツ型回転楕円面鏡を有する浮遊帯域装置を新しく開発しようとするものである。前年度までにハロゲンランプの試作を行い、ランプへの電力供給制御装置ならびに加熱炉に必要な上下シャフト回転駆動装置の試作製作を行った。また、必要な部品を手配して、一応新型ド-ナツ型回転面鏡浮遊帯域装置を組み立てた。
平成9年度においては、新型ド-ナツ型回転面鏡浮遊帯域装置での加熱予備実験を行い、加熱温度が必要な温度まで上昇しないことが明らかになったので、その対策を講じた。まず、加熱ランプの色温度を変化させること、加熱金属線のコイルの数を変化させることなどであった。色温度を変化させた新しいランプを使用したところ、ランタン系の酸化物超電導体の焼結棒を加熱溶解することができたので、以後このランプをして種々の検討を行った。
面内の水平面の温度分布を測定した結果、四楕円面鏡型、双楕円面鏡型および単楕円面鏡と比較するとド-ナツ型回転楕円面鏡が均一性に優れていることが明らかになった。
実際に酸化物超電導体La_<2-x>Sr_xCuO_4単結晶厚膜作成を用いて試みた。この化合物は分解溶融物であるので、TSFZ法を用いて厚膜成膜を試みた結果、膜厚25μmの単結晶膜を得ることができたが、Srイオン濃度が原料体の濃度の1/4程度であった。また、振り切り操作時のシャフト回転数が遅かったのでフラックスが取り除けなかった。今後、回転数の制御を検討する必要がある。
以上のように、ド-ナツ型回転面鏡浮遊帯域装置の開発に成功したと思われる。
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[Publications] Yu.V.Bugoslavsky: "Voltics in a La_<1.9>Sr_<0.1>CuO_4 crystal ; influence of the layered on magnetisation." Physica C. 282-287. 1957-1958 (1997)
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[Publications] Yu.V.Bugoslavsky: "Flux-line lock-in to CuO planes in a La_<1.9>Sr_<0.1>CuO_4 single crystal" Physical Review B. 56・9. 5610-5616 (1997)
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[Publications] H.Kojima: "Single crystal growth of superconducting La_<2-x>M_xCuO_4 (M=Ca,Sr,Ba) by the TSEZ method" Physica C. 293. 14-19 (1997)
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[Publications] K.Nakajima: "Odd-gap spikes observed by tunneling spectroscopy for La-Sr-Cu-O single crystal" Physica C. 293. 292-295 (1997)
