1995 Fiscal Year Annual Research Report
可溶性ネットワークポリシランの設計・合成及びSiCの新規合成プロセスの開発
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07555290
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
松田 實 東北大学, 反応化学研究所, 教授 (90006297)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
井上 洋 東ソー(株), 高分子研究所, 副主任 研究員
秋元 明 東ソー(株), 高分子研究所, 所長
渡辺 明 東北大学, 反応化学研究所, 助教授 (40182901)
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| Keywords | ネットワークポリシラン / シリコンカーバイト / 前駆体 |
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| Research Abstract |
ネットワークポリシランは、2次元平面状に広がったシリコン骨格に有機側鎖のついた有機化合物と無機化合物が融合した形を有するポリマーであり,そのシリコン架橋構造ゆえに高い熱安定性を示す。また,その側鎖有機置換基の選択によって、有機溶媒に可溶であるという特徴を有している。本年度の研究においては,シリコン骨格及び有機側鎖構造の制御されたポリシランの分子設計及び合成を行い,それらの加熱前および加熱後の光・電子物性を直鎖状のポリシランと比較し検討した。加熱前のネットワークポリシランの光学的バンドギャップは直鎖構造を有するポリシランに比べて小さく,2次元平面状に広がったシリコン骨格に沿ったσ共役生が,吸収・発光スペクトルから示された。熱分析においては,直鎖ポリシランに比べてネットワークポリシランの非常に高い熱安定性が示された。ポリ(フェニルシリン)においては,1000℃までの加熱による重量減少が30%以下であり,スピンコート膜の熱処理によって一段階でのSiC薄膜の形成を行うことが出来た。しかし,XPSスペクトルを用いた解析からは薄膜中にはSiに対して当モル以上のCが含まれていることが示され,炭素含有量を減らすために,種々の側鎖有機置換基を有するネットワークポリシランの合成・物性解析を行った。その結果,プロピル基を有するポリシランにおいて良好な結果が得られた。さらに,新規なセラミックス前駆体の開発を目的として,シリレン鎖と芳香族基からなる主鎖構造を有するポリマーの合成および物性の検討を行った。
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[Publications] A. Watanabe, Y. Tsutsumi and M. Matsuda: "Effect of Si-dimensionality on Optical and Electrical Properties of Poly(methylphenylsilylene)and Poly(phenylsilyne)" Synthetic Metals. 74. 191-196 (1995)
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[Publications] A. Watanabe, T. Komatsubara, O. Ito and M, Matsuda: "SiC/SiO_2 Micropatterning by Ultraviolet Irradiation and Heat-Treatment of a Poly(phenylsilyne)" J. Appl. Phys.,. 77. 2796-2800 (1995)
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[Publications] A. Watanabe, Y. Nagai, and M, Matsuda: "Micropattern of Inorganic Film Prepared by UV-Irradiation and Heat-Treatment of Polyalkylsilyne Film" Jpn. J. Appl. Phys.34. L452-L454 (1995)
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[Publications] M-. C. Fang, A. Watanabe and M. Matsuda: "Synthesis of Silylene-Phenylene and Silylene-Thienylene Copolymers and Their Optical Properties" J. Organometal. Chem.489. 15-22 (1995)
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[Publications] M-. C. Fang, A. Watanabe and M. Matsuda: "Synthesis of σ-π Conjugated Organosilicon Copolymers and Their Optical Properties" Jpn J. Appl. Phys., Suppl.34. 98-100 (1995)
