1996 Fiscal Year Annual Research Report
高出力半導体レーザを用いたニューメディア対応回路板上ナノメータ不純物検出装置
Project/Area Number |
07555427
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Research Institution | Nagaoka University of Technology |
Principal Investigator |
秋山 伸幸 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (90251850)
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Keywords | 微粒子検出 / 液晶表示素子 / TFT-LCD / 不純物検出 / 半導体レーザ / 散乱光検出 / ニューメディア |
Research Abstract |
本研究はニューメディア対応回路板としてTFT-LCD(薄膜トランジスタ液晶表示素子)をとりあげ、この上の1μm以上の微粒子を、製造工程中の基板(寸法360×460mm)全面にわたって高速に検出する装置の開発を論じたもので、実験の結果以下の結論を得た。 (1)半導体レーザを基板に対して入射角75゚で照明し、検出角を前方45゚にすることにより、微粒子の検出出力を従来の8〜9倍に向上させた。これにより照明用の半導体レーザの数を低減した(従来2個→1個)。 (2)焦点距離50mm、F1.2カメラレンズを2個使用して基板面上の散乱光を検出することにより、検出視野8mm、NA=0.42、シェ-ディング20%以内を得て、目標を達成した。 (3)微粒子検出系と自動焦点検出光学系を一体化し、間にダイクロイックミラーを設けることにより両者の干渉を除去した。これにより1ユニット検出装置の幅を狭く(約100mm)することができ、並列検出を可能にした。 (4)標準粒子信号とパターン信号の弁別比を向上させるために空間フィルタ、リニアイメージセンサ走査方向比較検査技術を使用し、基板全面にわたって弁別比2以上を得た。 (5)以上の技術を使用することにより、4ユニット並列検出を行った時、大型基板1枚の検査時間を20秒以下にする見通しを得た。
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