1996 Fiscal Year Annual Research Report

超励起酵素原子(O^<**>)ビームを用いた。超伝達の薄膜成長と発現機構の研究

Research Project

Project/Area Number	07559003
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	井野正三東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	高見知秀東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (40272455) 霜越文夫東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (00013409) 長谷川修司東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (00228446)
Keywords	励起原子 / 酸素 / 酸化物高温超伝導体 / 薄膜 / 表面 / 超高真空 / 反射高速電子回析 / 全反射X線分光
Research Abstract	平成8年度は、前年度に作製した励起原子ビーム源を更に改良し、真空槽内にメカニカルチョッパーを設置し、励起原子ビームをパルス化した。こうして作製したパルスビームの約50cm下流に光電子増倍管(セラトロン)を設置し、この信号をメカニカルチョッパーのゲート信号をトリガーとして積算することにより、作製した励起酵素原子ビームの飛行時間(TOF)スペクトルが求められるようになった。その結果、ヘリウム準安定励起原子では3000m/s付近を極大とする分布が得られるのに対し、励起酸素原子ビームは2000及び500m/s付近を極大とする分布を持つ事がわかった。さらにこの励起酸素原子ビームのTOFスペクトルにおいていくつかの内部構造ピークが観測された。このことは、励起酸素原子のエネルギー状態によって異なる速度分布を持つ可能性があることが示唆しており、作製した励起酸素原子ビームの非行時間選別を行うだけで励起酸素原子のエネルギー状態を選別出来る可能性が出てきた。これについてはレーザー等を用いた更に詳細な実験による検証を検討中である。また本年度は、作製した励起原子ビーム源を差動排気チャンバーを介して、超伝導薄膜を作製するための超高真空チャンバーへの接続も試みた。その結果、励起酵素原子ビームを流している状態で超高真空チャンバーの真空度を保つためにはイオンポンプだけによる排気では困難であることがわかった。そこで新しくターボ分子ポンプを購入し、超伝導薄膜作製用超高真空チャンバーへの接続を行った。更に、本研究で作製したビーム源において、酸素ガスの代わりに窒素や二酸化炭素等のガスを用いる事により、励起窒素原子や上記の励起酸素原子とエネルギー状態の異なるビームが作製出来る事もわかり、生成条件を追及している。

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] S.Ino: "Theory of Transmission Coefficient of X ray Evanescent Wave for Grazing Incidence" Journal of Physical Society of Japan. 65. 3248-3253 (1996)
[Publications] C.S.Jiang et al.: "Surface Conductivity for Au or Ag on Si(111)" Physical Review B. 54. 10389-10392 (1996)
[Publications] T.Yamanaka et al.: "Observation of the Growth Modes of In on Ga-Covered Si(111)Surfaces Using Ultra-High Vacuum Scanning Electron Microscopy" Surface Science. 356. 39-46 (1996)
[Publications] T.Yamanaka et al.: "Atomic Depth Distributution Analysis of In and Ga on Si(111)during Epitaxial Growth and a New Type of Surfactant-Mediated Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 3991-3998 (1996)
[Publications] S.Ino: "New Growth Modes and Surface Conductivity During Epitaxy of Metals on Si(111) Surface" Material Chemistry and Physics. 43. 159-165 (1996)
[Publications] A.Endo et al.: "Energy and Angular Distribution of Secondary Electrons Emitted from Si(111)-7×7.√3×√3-Ag and 5×2-Au Surfaces" Surface Science. 346. 40-48 (1996)

1996 Fiscal Year Annual Research Report

超励起酵素原子(O^<**>)ビームを用いた。超伝達の薄膜成長と発現機構の研究

Principal Investigator

井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)

Research Products

[Publications] S.Ino: "Theory of Transmission Coefficient of X ray Evanescent Wave for Grazing Incidence" Journal of Physical Society of Japan. 65. 3248-3253 (1996)

[Publications] C.S.Jiang et al.: "Surface Conductivity for Au or Ag on Si(111)" Physical Review B. 54. 10389-10392 (1996)

[Publications] T.Yamanaka et al.: "Observation of the Growth Modes of In on Ga-Covered Si(111)Surfaces Using Ultra-High Vacuum Scanning Electron Microscopy" Surface Science. 356. 39-46 (1996)

[Publications] T.Yamanaka et al.: "Atomic Depth Distributution Analysis of In and Ga on Si(111)during Epitaxial Growth and a New Type of Surfactant-Mediated Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 3991-3998 (1996)

[Publications] S.Ino: "New Growth Modes and Surface Conductivity During Epitaxy of Metals on Si(111) Surface" Material Chemistry and Physics. 43. 159-165 (1996)

[Publications] A.Endo et al.: "Energy and Angular Distribution of Secondary Electrons Emitted from Si(111)-7×7.√3×√3-Ag and 5×2-Au Surfaces" Surface Science. 346. 40-48 (1996)

井野正三東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)