1996 Fiscal Year Annual Research Report
CaN基板上へのIII族窒化物の低次元構造の作製と物性に関する研究
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07650025
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| Research Institution | MEIJO UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
天野 浩 名城大学, 理工学部, 講師 (60202694)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
赤さき 勇 名城大学, 理工学部, 教授 (20144115)
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| Keywords | III族窒化物 / 低次元量子構造 / ホモエピタキシャル成長 / 有機金属化合物気相成長法 / 分子線エピタキシ-法 / ハイドライド気相成長法 / バルクGaN |
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| Research Abstract |
本研究は、高速で大面積化が容易であり、しかも再現性よくIII族窒化物半導体、特にCaNの単結晶基板を得る方法を確立すること、及びその基板上に2次元のみならず、1次元或いは0次元構造を作製し、量子サイズ効果の発現、及びデバイスに応用することを目的とする。
本年度は、ハイドライド気相成長法により、サファイア基板上に厚膜GaNの成長を試みた。成長初期過程を詳細にけんとうしたところ、低温堆積緩衝層を用いることにより、極めて高品質のGaN厚膜結晶が得られることがわかった。
現在、其の結晶を基板として、有機金属化合物気相成長法により量子井戸活性層を有する発光ダイオード及びレーザダイオードを試作中である。
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[Publications] I.Akasaki and H.Amano: "Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties" Journal of Crystal Growth. 163. 86-92 (1996)
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[Publications] H.Siege,P.Thurian,L.Eckey,A.Hoffman,C.Thomsen,K.Meyer,H.Amano,I.Akasaki,: "Spacially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/sapphire interface" Applied Physics Letters. 68. 1265-1266 (1996)
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[Publications] M.Koike,S.Yamasaki,S.Nagai,N.Koide,S.Asami,H.Amano and I.Akasaki: "High-quality GaInN/GaN multiple quantum wells" Applied Physics Letter. 68. 1403-1405 (1996)
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[Publications] D.Behr,J.Wagner,J.Schneider,H.Amano and I.Akasaki: "Resonant Raman scattering in hexagonal GaN" Applied Physics Letters. 68. 2404-2406 (1996)
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[Publications] C.Wetzel,E.E.Haller,H.Amano and I.Akasaki: "Infrared reflection on GaN and AlGaN thin film heterostrsctures with AlN buffer layers" Applied Physics Letters. 68. 2547-2549 (1996)
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[Publications] I.Akasaki,S.Sota,H.Sakai,T.Tanaka,M.Koike and H.Amano: "Shortest wavelength semiconductor laser diode" Electronics Letters. 32. 1105-1106 (1996)
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[Publications] I.Akasaki and H.Amano: "Semiconductors and Semimetals" Academic Press (in Press), (1997)
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[Publications] 編者:赤さき勇 天野浩(第3.1章): "青色発光の魅力" 工業調査会(印刷中), (1997)
