1996 Fiscal Year Annual Research Report

ラジカル注入法を用いたプラズマエッチングとラジカル反応機構に関する研究

Research Project

Project/Area Number	07650032
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	堀勝名古屋大学, 工学部, 助教授 (80242824)
Keywords	ラジカル / プラズマ / エッチング / フルオロカーボン / シリコン / CF_2 / レーザー分光 / ECR
Research Abstract	平成7および8年度を通じてほぼ全ての研究計画を実現することができた.下記に成果を列挙する. 1.ラジカル注入エッチング装置の開発 HFPOガスの熱分解により,選択的にCF_2ラジカルを発生するラジカル源を製作した.ラジカル源の評価を赤外半導体レーザー吸収分光法により行ったところ,圧力0.67Pa,900Kの加熱によりCF_2ラジカル密度は1X10^<13>cm^3であり,所望のラジカル密度を得るに成功した. 2.ラジカル注入法によるエッチングラジカル種の制御とラジカル反応機構の解明上記製作したラジカル源をECRエッチング装置に設置し,ArおよびAr/H_2プラズマ中に選択的にCF_2ラジカルの注入を行った.種々の条件下において堆積したフルオロカーボン膜の構造をXPS,FT-IRにより評価したところ,CF_2ラジカルは,イオン照射の下でのみフルオロカーボン薄膜の前駆体であることを解明した.Arプラズマ照射では,フッ素に富むフルオロカーボン膜が形成されるが,Ar/H_2プラズマ照射では炭素にとむ薄膜が形成されることを見出した. 3.ラジカル注入プラズマによりSi酸化膜/Si高選択エッチング ECRArおよびAr/H_2プラズマにCF_2ラジカルを注入してSi酸化膜/Si高選択エッチングを行ったところ,Arプラズマ下では選択比3程度であった.一方,Ar/H_2プラズマ下では選択比無限大であり,CF_2ラジカルを制御することにより高選択比エッチングが実現できることを明らかにした.

Research Products

(11 results)

All Other

All Publications (11 results)

[Publications] Kunimasa Takahashi: "Evaluation of CF_2 Radical as a Precursor for Fluorocarbon Film Formation in Highly Selective SiO_2 Etching Process Using Radical Injection Technique" Jpn.J.Appl.Phys.35. 3635-3641 (1996)
[Publications] Toshio Goto: "Radical Behavior in Fluorocarbon Plasma and Control of Silicon Oxide Etching by Injection of Radicals" Jpn.J.Appl.Phys.35. 6521-6527 (1996)
[Publications] Kunimasa Takahashi: "Control and Qualification of Precursor in SiO2 High Selective Etching Employing Radical Injection Technique" Proceedings of the 17th Symposium on Dry Process. 17. 237-242 (1995)
[Publications] Masaru Hori: "Etching Control and Clarification of Important Radical for Etching by Employing Radical Injection Method" Proceedings of SEMI Technology Symposium 95. 1-56-1-60 (1995)
[Publications] Toshio Goto: "Radical Behavior in Fluorocarbon Plasma and Control of Silicon Oxide Etching by Injection of Radicals" Proceedings of the 9th International MicroProcess Conference. 9. 24-29 (1996)
[Publications] 堀勝: "プラズマプロセスにおけるラジカルの気体-個体作用" 放電研究. 151. 3-10 (1996)
[Publications] 堀勝: "ドライエッチング中の反応種計測" ウルトラクリーンテクノロジー. 8. 265-268 (1996)
[Publications] Masaru Hori: "Surface Reaction of CF_2 Radical in Fluorocarbon Plasma Etching Process" Proseedings of 189th Meeting of the Electrochemical Society. 189. 229 (1996)
[Publications] 堀勝: "酸素化膜エッチングプロセスにおけるラジカルの挙動" Proceedings of Electronic Journal 3rd Technical Symposium. 3. 99-106 (1996)
[Publications] Masaru Hori: "Surface Reaction of CF_2 Radicals in Silicon Oxide Selective Etching Process" International Workshop on Basic Aspects of Nonequilibrium Plasmas Interacting with Surface. 1. 11-12 (1996)
[Publications] 堀勝: "プラズマ講習会テキスト" (社)応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会, 106 (1996)

1996 Fiscal Year Annual Research Report

ラジカル注入法を用いたプラズマエッチングとラジカル反応機構に関する研究

Principal Investigator

堀 勝 名古屋大学, 工学部, 助教授 (80242824)

Research Products

[Publications] Kunimasa Takahashi: "Evaluation of CF_2 Radical as a Precursor for Fluorocarbon Film Formation in Highly Selective SiO_2 Etching Process Using Radical Injection Technique" Jpn.J.Appl.Phys.35. 3635-3641 (1996)

[Publications] Toshio Goto: "Radical Behavior in Fluorocarbon Plasma and Control of Silicon Oxide Etching by Injection of Radicals" Jpn.J.Appl.Phys.35. 6521-6527 (1996)

[Publications] Kunimasa Takahashi: "Control and Qualification of Precursor in SiO2 High Selective Etching Employing Radical Injection Technique" Proceedings of the 17th Symposium on Dry Process. 17. 237-242 (1995)

[Publications] Masaru Hori: "Etching Control and Clarification of Important Radical for Etching by Employing Radical Injection Method" Proceedings of SEMI Technology Symposium 95. 1-56-1-60 (1995)

[Publications] Toshio Goto: "Radical Behavior in Fluorocarbon Plasma and Control of Silicon Oxide Etching by Injection of Radicals" Proceedings of the 9th International MicroProcess Conference. 9. 24-29 (1996)

[Publications] 堀勝: "プラズマプロセスにおけるラジカルの気体-個体作用" 放電研究. 151. 3-10 (1996)

[Publications] 堀勝: "ドライエッチング中の反応種計測" ウルトラクリーンテクノロジー. 8. 265-268 (1996)

[Publications] Masaru Hori: "Surface Reaction of CF_2 Radical in Fluorocarbon Plasma Etching Process" Proseedings of 189th Meeting of the Electrochemical Society. 189. 229 (1996)

[Publications] 堀勝: "酸素化膜エッチングプロセスにおけるラジカルの挙動" Proceedings of Electronic Journal 3rd Technical Symposium. 3. 99-106 (1996)

[Publications] Masaru Hori: "Surface Reaction of CF_2 Radicals in Silicon Oxide Selective Etching Process" International Workshop on Basic Aspects of Nonequilibrium Plasmas Interacting with Surface. 1. 11-12 (1996)

[Publications] 堀勝: "プラズマ講習会テキスト" (社)応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会, 106 (1996)

堀勝名古屋大学, 工学部, 助教授 (80242824)

[Publications] 堀勝: "プラズマ講習会テキスト" (社)応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会, 106 (1996)