1996 Fiscal Year Annual Research Report
放射光CVDにおける表面吸着分子の分子間相互作用の効果
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07650040
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| Research Institution | Okazaki National Research Institutes |
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Principal Investigator |
宇理須 恒雄 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 教授 (50249950)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
津坂 佳幸 姫路工業大学, 理学部, 助手 (20270473)
間瀬 一彦 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40241244)
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| Keywords | 放射光 / ジシラン / ガスソースMBE / 赤外表面反射吸収法 / ジメチルアルミニウムハイドライド / カーボン汚染 / 内殻電子励起 |
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| Research Abstract |
放射光励起SiガスソースMBEの結晶成長中のSi(100)表面の水素について埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収スペクトル法により、その場観察した。400C付近ではSiHが主であるが、温度の低下とともにSiH_2や、SiH_3が増加する。また、放射光の照射により、SiH_2やSiH_3は分解するが、SiHは分解しないことなどが明らかとなった。
ジメチルアルミニウムハイドライド(DMAH)の低温凝集層に放射光を照射し、Al薄膜の堆積を行ない、堆積膜中のカーボン汚染を調べた。LiF、C,Alの薄膜フィルターを用いて、カーボン汚染の励起波長依存性を調べた。価電子励起と比較し、内殻電子励起の場合はカーボン汚染が約1/2に減少する。また、膜堆積の量子収率は、内殻電子励起の場合、価電子励起と比較し2桁から、3桁大きいことが判った。この実験データの解析に必要なデータとして、DMAH低温凝集層の赤外反射吸収スペクトルを測定した。
堆積直後では、ダイマーとトリマ-の混合であるのに対し、温度を130K以上にあげるとトリマ-のみになることがわかった。低温で安定な構造はトリマ-である。さらに、エネルギー依存性に必要なデータとして、気相DMAHの真空紫外領域での吸収スペクトルを放射光を用いて測定した。
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[Publications] Y.Imaizumi: "Synchrotron Radiation Irradiation Effects on Low-temperature Condensed Layer of Dimethyl Aluminum Hidride on SiO_2" J.Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 80. 93-96 (1996)
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[Publications] J.Ohara: "Metallization on Piezoelectric Ceramics Surfaces by Synchrotron Radiation Irradiation" J.Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 80. 81-84 (1996)
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[Publications] K.Mase: "Development of Electron-Ion Coincidence Spectroscopy for the Study of Surface Dynamics" Bull.Chem.Soc.Jpn.69. 1829-1832 (1996)
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[Publications] M.Nagasono: "Auger Electron-ion coincidence study for H_2O Adsorbed on SiO_2/Si(100) at 80 K" Surface Sci.363. 342-346 (1996)
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[Publications] T.Urisu: "Synchrotron Radiation-Stimulated Semiconductor Process and New Prospects of Core Electron Excitation Photochemistry" Optoelectronics-Devices and Technologies-. 11. 57-70 (1996)
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[Publications] Young-Bae Park and Shi-Woo Rhee: "Structual Changes of Silicon Dioxide Films Caused by Synchrotron Irradiation" J.Appl.Phys.80. 1236 (1996)
