1995 Fiscal Year Annual Research Report
交互供給MBE法を用いたSi基板上へのInGeN結晶成長に関する研究
| Project/Area Number |
07650363
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Research Institution | University of Fukui |
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Principal Investigator |
橋本 明弘 福井大学, 工学部, 助教授 (10251985)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大久保 貢 福井大学, 工学部, 教務職員 (80260561)
山本 あき勇 福井大学, 工学部, 教授 (90210517)
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| Keywords | 交互供給MBE法 / 窒化物半導体 / 窒化インジウムガリウム / シリコン / 格子不整合ヘテロエピタキシ- |
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| Research Abstract |
本年度は、研究課題を実施するために必要な分子線エピタクシャル装置の整備及び基板の窒化過程の解析を進めた。具体的には以下に示す通りである。
1.分子線エピタクシャル装置の整備
ほぼ計画通リ完了し、GaAs基板上に単結晶GaAsを成長し成長速度、残留不純物濃度,易動度等の測定を行った。
2.多孔質Si基板上へのGaAs針状結晶の成長及び評価
薄い低温バッファ層を用いた2段階成長法により、多孔質Si基板上にGaAs針状結晶が成長することを見いだした。さらに、成長したGaAs針状結晶の光学的特性を調べた結果、量子閉じ込め効果に因ると思われる発行ピークの高エネルギー側へのシフトが観測された。また、窒化プロセスを施すことでDaN細線の作製が可能であると考え、現在実験を続行中である。
3.交互供給法によるSi基板窒化抑制効果の検討
TMG及びジメチルヒドラジン系では、交互供給低温成長においてSi基板の窒化抑制効果がXPS測定から明らかになった。このことは、メタルGaおよびジメチルヒドラジン系においても同様の効果が期待できることを示唆しており、引き続き検討を加える必要があるものと考えられる。
4.低温アルモファスバッファ層の形成とその熱処理及び2段階成長法の有効性についての検討
予備的な実験結果を踏まえてGaN低温バッファ層の形成について、今後本格的に検討していく必要がある。
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[Publications] A.Hashimoto: "Analysis on Intensity Variation of CAICISS Spectra During MEE Growth" Proceeding of the 13th Symposium on Materials Science and Eng.159-164 (1995)
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[Publications] A.Yamamoto: "Heteroepitaxial Growth of InN on Si(111)Using a GaAs Intermediate Layer" Abstracts of the Topical Workshop on III-V Nitrides. B9 (1995)
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[Publications] M.Tamura: "Threading dislocations in GaAs on pre-patterned Si and in post・pattened GaAs on Si" J.Cryst.Growth. 147. 264-273 (1995)
