1995 Fiscal Year Annual Research Report
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07650365
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Research Institution | Shinshu University |
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Principal Investigator |
橋本 佳男 信州大学, 工学部, 助教授 (30262687)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
巽 勇吉 信州大学, 教育学部, 教授 (10029704)
伊東 謙太郎 信州大学, 工学部, 教授 (20020977)
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| Keywords | 化合物半導体 / よう素処理 / ガリウムひ素 / 表面不活性化 / 光電子分光法 |
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| Research Abstract |
本年度は、GaAsならびにCuInS_2表面へのよう化物処理を行い、その反応の光電子分光法(XPS)による解析を行い、NH_4Iを用いた表面処理の有効性を明らかにした。その際、本予算により、X線源のアノード部分を交換し、高分解能のモノクロXPSを行った。
1.GaAs基板をNH_4I水溶液に数分間浸す処理により、GaAs表面の酸化膜が除去されるとともによう素に関連する膜を表面に形成する。また、NH_4I処理を行ったGaAsからのGa3d準位のケミカルシフトからGaAs表面にはGaのよう化物が形成されていることがわかった。一方、CdI_2を用いた処理においてもGaAs表面へのよう化物の堆積は見られたが酸化膜の除去が不十分である上、Gaのよう化物も余り観測されなかった。さらに、NH_4I処理を施したGaAsについて、真空中で約300℃の熱処理を行うことにより、表面のよう素やよう化物が除去できる。これは、よう素処理が、真空プロセスの前にGaAs清浄表面を得るのに有効なプロセスであることを示している。一方、よう素処理に伴う電気的特性の向上については、GaAs基板をよう素処理してショットキー電極を形成して実験したが、ショットキー障壁の制御はできなかった。これは、よう素処理GaAs表面の過剰のよう素を適切な温度で除去し、原子層のGa-I化合物を形成する方法やよう化物を完全に除去し、硫化物を形成する方法により、実現したいと考えている。
2.CuInS_2/CdS薄膜太陽電池のCuInS_2表面にCdS膜を形成する際によう化物を用いた場合に太陽電池特性が向上する。この一因として考えられるのはよう化物を含む水溶液によるCuInS_2表面のクリーニングであり、XPSから、よう化物を含む水溶液のCuの酸化物の除去に寄与することが示された。
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Research Products
(1 results)
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[Publications] T.Ohashi,A.Jager-Waldau,T.Miyazawa,Y.Hashimoto,and K.Ito: "CuIn(S_xSe_<1-x>)_2Thin Films by Sulfurization" Jpn. J. Appl. Phys.34. 4159-4162 (1995)
