陽電子による金属とフラーレンの擬二次元膜・擬一次元細線の格子欠陥の物性研究

1995 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 07650759
• Research Category: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• Research Institution: Tokyo Gakugei University
• Principal Investigator: 村上 英興 東京学芸大学, 教育学部, 教授 (30011000)
• Keywords: 陽電子 / ポジトロニューム / 多孔性ガラス

Research Abstract

多孔性ガラス中及び、これに金属カリュウムを充填したときの陽電子寿命を測定し、比較検討した。その結果、
1)孔が空であるとき、孔にポジトロニュームとして脱出して消滅する陽電子の割合は比較的少なく、数パーセント程度であること、
2)従って、多くの陽電子は多孔性ガラスの内部で熱化して消滅していること、
3)孔を金属カリュウムで充填すると、孔がふさがるためにポジトロニューム形成確立が減少すること、
4)ベンゼン孔に充填すると、孔中のベンゼン内でポジトロニュームが形成されること、
5)ポジトロニューム形成量の変化を使って充填ベンゼンの量が推定できること、
6)ベンゼンに関する結果から、孔内に吸蔵した液体内部にポジトロニュームが形成されるならば、この形成率から液体の量が求められること、
などが明らかになった。次年度は、
1)孔にホポジトロニュームとして脱出する陽電子の多い多孔性ガラスを探すこと、
2)充填物質の格子欠陥について研究すること、
フラーレン膜を張ってその物性を明らかにすること、
を目的とする。