1995 Fiscal Year Annual Research Report
粒界準位の制御による高機能PTCRセラミックスの開発
| Project/Area Number |
07750746
|
|---|
| Research Institution | Nagaoka University of Technology |
|---|
Principal Investigator |
|
|---|
| Keywords | PTCR特性 / 高温超伝導体 / ヘイワングモデル / 粒界準位 / エネルギーギャップ / 赤熱点 / ホットスポット / ダブルショットキー障壁 |
|---|
| Research Abstract |
Positive Temperature Coefficient Resistivity(PTCR)セラミックスは大変急激で変則的な抵抗温度係数を持つ材料である。高温超伝導体としてよく知られているGdBa_2Cu_3O_<7-δ>はPTCR材料のひとつである。このPTCR材料に、室温で電圧を印加すると、試料上に局部的な赤熱点が発生することを見出した。
この赤熱点は、試料の抵抗率の温度依存性に依存して発生することを解明し、さらに、この赤熱点し酵素イオンの高速拡散に起因すると思われるゆっくりとした移動現象を示した。この過程を追求していく過程で、電流-電圧特性に、特異なヒステリシスが現れることを見出し、このことから、赤熱点の出現と消滅に関する現象の解明に成功した。
|
