1996 Fiscal Year Annual Research Report
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08044120
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (30192636)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
DEBOECK Joha ベルギー大学, 間マイクロエレクトロニクスセンター, 研究員グループリーダ
PALMSTROM Ch ミネソタ大学, 化学工学材料科学科, 教授
西永 頌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (10023128)
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| Keywords | 異種物質ヘテロ接合 / ErAs / MnAs / GaMnAs / エピタキシャル成長 / 分子線エピタキシ- |
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| Research Abstract |
平成8年度は、金属間化合物と半導体から成る異種物質ヘテロ接合系のエピタキシャル成長による形成技術の確立をめざして、以下の共同研究および調査研究を行った。
・半導体(GaAs/AlAs)/金属間化合物(ErAs)/半導体(GaAs/AlAs)ダブルヘテロ構造のMBE成長技術に関する研究と情報交換(東京大学にてパルムストロム教授とともに平成8年8月に調査研究を行った。)
・ErAs/AlAs/GaAs埋め込みヘテロ構造の構造評価・反射高エネルギー電子線回折を用いたin situな観察(米国マリブおよび東京大学にて、パルムストロム教授及びデボック博士らと平成8年8月に調査研究を行った。)
・X線回折、ラザフォード後方散乱法、透過型電子顕微鏡による断面観察などによるex situな評価(米国アトランタおよびミネソタ大学で、パルムストロム教授とともに平成8年11月に調査研究を行った。)
強磁性金属(MnAs,MnGa)を含む系への拡張と原子レベルにおける結晶成長機構の解明(東京大学にて、デボック博士らと平成9年1月に調査研究を行った。)
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[Publications] M.Tanaka,M.Tsuda,T.Nishinaga and C.J.Palmstrom: ""Room Temperature Negative Differential Resistance in AlAs/ErAs/AlAs Heterostructures Grown on (001) GaAs"" Applied Physics Letters.68. 84-86 (1996)
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[Publications] M.Tanaka,C.J.Palmstrom: ""Epitaxial Semimetal (ErAs)/Semiconductor (III-V) Heterostructures : Negative Differential Resistance in Novel Resonant Tunneling Structures Having Semimetallic Quantum Well"" J.Magnesism & Magnetic Materials M.Tsuda and T.Nishinaga. 156. 276-278 (1996)
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[Publications] M.Tanaka: ""Structures,Properties and Functions of Epitaxial Ferromagnetic Metal/Semiconductor Heterostructures"" J.Magnetics Society of Japan. 20. 950-959 (1996)
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[Publications] K.Akeura,M.Tanaka,T.Nishinaga and J.DeBoeck: ""Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs Thin Films Directly Grown on Si (001)"" J.Appl.Phys.79. 4957-4959 (1996)
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[Publications] T.Hayashi,M.Tanaka,T.Nishinaga and H.Shimada,: ""GaMnAs : new III-V Based Diluted Magnetic Semiconductors Grown by Molecular Beam Epitaxy"" J.Crystal Growth,in press. (印刷中). (1997)
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[Publications] M.Tanaka,J.P.Harbison and G.M.Rothberg: ""Epitaxial MnAs/NiAs Magnetic Multilayers on (001) GaAs Grown by Molecular beam Epitaxy"" J.Magnetism & Magnetic Materials. 156. 306-308 (1996)
