1996 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
08044148
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
高井 幹夫 大阪大学, 極限科学研究センター, 教授 (90142306)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
FREY Lothar フラウンホーファー集積回路電子素子技術研究所, 部長
RYSSEL Heine フラウンホーファー集積回路電子素子技術研究所, 所長
柳沢 淳一 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (60239803)
弓場 愛彦 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (30144447)
|
|---|
| Keywords | イオンマイクロプローブ / 集束イオンビーム / TOF-SIMS / DRAM / ナノファブリケーション / ナノメートル3次元分析 / 電界放射電子源 / プロセス誘起欠陥 |
|---|
| Research Abstract |
1.日本側研究者がドイツの相手側研究所へ出張し、双方のこれまでの研究実績に関し情報交換した。ドイツ側研究所においては、相手側でこれまで研究されてきているTOF-SIMS、集束イオンビーム(FIB)クロスセクショニングSEM/TEM等の進捗状況、現状の問題点についての検討を行い、次世代素子(DRAM)に対応したテスト構造作製のための方針を打ち合わせした。
2.ドイツからも研究者を招へいし、特に日本側でこれまで行ってきたイオンマイクロプローブの集束、検出限界およびナノメートル3次元分析と、これと相補的な技術であるドイツ側の破壊検査結果に関する検討を行い、これらの技術を有機的に組み合わせて計測するためのテスト試料構造を決定した。特に、ナノファブリケーション技術として有望な電子およびイオンビーム誘起化学プロセスを用いた電界放射電子源のための金属堆積やマスクレス加工を用いた試料の作製を行った。
3.共同研究打ち合わせによる同一構造試料の基礎測定を双方で行った。大阪大学では、ナノ構造作製時のFIBプロセス誘起欠陥および加工周辺部のビーム汚染に関する非破壊分析を80nmの精度で行い、ドイツ側では破壊検査による分析を行い、双方の結果を国際会議にて報告する予定である。
|
-
[Publications] M.Takai: "Application of Medium Energy Nuclear Microprobe to Semiconductor Process Steps" Nucl.Instr.and Methods. B118. 418-422 (1996)
-
[Publications] M.Takai: "Surface Structure of Sulfur-Terminated GaAs by Medium Energy Ion Scattering" Nucl.Instr.and Methods. B118. 552-555 (1996)
-
[Publications] T.Kishimoto: "Well Structure by High Energy Boron Implantation for Soft Error Reduction in DRAMs" Jpn.J.Appl.Phys.34. 6899-6902 (1996)
-
[Publications] M.Takai: "Applications of Nuclear Microprobes in Semiconductor Industry" Nucl.Instr.and Meth.B113. 330-335 (1996)
-
[Publications] M.Takai: "Modification of Field Emitter Array(FEA)Tip Shape by Focused Ion Beam Irradiation" J.Vac.Sci.Techn.B14. 1973-1976 (1996)
-
[Publications] M.Takai: "Soft Error Susceptibility and Immune Structures in Dynamic Random Access Memories(DRAMs)Investigated by Nuclear Microprobes" IEEE Trans.Nucl.Sci.43. 696-704 (1996)
-
[Publications] H.Morimoto: "Electron Beam Induced Deposition of Pt for Field Emitter Arrays" Jan.J.Appl.Phys.35. 6623-6625 (1996)
-
[Publications] T.Kishimoto: "Control of Carrier Collection Efficiency in n+p Diode with Retrograde Well and Epitaxial Layers" Jan.J.Appl.Phys.(in press).
-
[Publications] M.Takai: "Recent Applications of Nuclear Microprobe Techniques to Microelectronics" Nucl.Instr.and Meth.B. (in press).
-
[Publications] Y.K.Park: "Detectors for Microprobe Applications at Medium Ion Energy" Nucl.Instr.and Meth.B. (in press).
-
[Publications] Y.K.Park: "Ir and Rh Silicide Formation Investigated by Microbeam RBS" Nucl.Instr.and Meth.B. (in press).
-
[Publications] T.Kishimoto: "Suppression of Carrier Collection Efriciency in Diode with Retrograde Well and Epitaxial Layers for Soft-Error Immunity" Nucl.Instr.and Meth.B. (in press).
