1997 Fiscal Year Annual Research Report
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08404023
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
高畠 敏郎 広島大学, 理学部, 教授 (40171540)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
梅尾 和則 広島大学, 理学部, 助手 (10223596)
浴野 稔一 広島大学, 総合科学部, 助教授 (40185103)
鈴木 孝至 広島大学, 理学部, 助教授 (00192617)
伊賀 文俊 広島大学, 理学部, 助教授 (60192473)
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| Keywords | 近藤半導体 / 単結晶 / トンネル分光 / メタ磁性 / エネルギーギャップ / 光電子分光 |
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| Research Abstract |
1.近藤半導体の単結晶育成と精製
YbB_<12>の単結晶育成法を確立し、室温と1.3Kでの電気抵抗の比が150,000に達する良質な結晶ができた。CeNiSn単結晶は本年度導入した固相電解精製装置を用いて精製した。CeRhSbとCe_3Bi_4Pt_3はブリッジマン法によって大型の単結晶育成に成功した。
2.極端条件下での物性測定と解析
(1)YbB_<12>は立方晶であるにも拘わらず50T付近で起こるメタ磁性転移磁場が結晶方位によって異なる。<111>方向で最も磁化のジャンプが大きく、この方向に於いて、14meVの中性子非弾性散乱の強度もピークを持つ。
(2)CeNiSnの基底状態の少数キャリアーは、0,5K以下で特異な磁場共鳴散乱を示す。CeあるいはNiサイトを僅か1%置換するとキャリアーは局在する。これらの結果は異方的ギャップモデルを支持する。圧力下ではギャップが縮小して重い電子状態が復活する。
(3)CeNiSn,CeRhSb,Ce_3Bi_4Pt_3,YbB_<12>のトンネル分光で観測されたギャップの大きさは、絶対零度の帯磁率の値から求めた特性温度でスケールできる。その比が平均場近似のギャップ方程式から導かれる3.5という値に近い事は、ギャップ形成機構モデルを峻別できる。
(4)YbB_<12>とCe_3Bi_4Pt_3の高分解能迷電子分光実験を行った。前者ではギャップ形成の観測に成功したが、後者ではギャップは直接には観測されなかった。
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[Publications] T.Takabatake: "Ce- and Yb-based Kondo semiconductors" J.Magn.Magn.Mater.177-181. 277-282 (1998)
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[Publications] F.Iga: "Single Crystal growth and physical properties of YbB_<12>" J.Magn.Magn.Mater.177-181(印刷中). (1998)
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[Publications] K.Katoh: "Crystal growth and semiconducting properties of Ce3Bi4Pt3" J.Alloys and Compds.(印刷中). (1998)
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[Publications] S.Shibauchi: "Strong reduction of quasiparticle scattering rate with gap formation in CeNiSn" Phys.Rev.B. 56. 8277-8281 (1998)
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[Publications] T.Takabatake: "Magnetic and structural transitions in CeRh2Sb2" Physica B. 230-232. 223-225 (1997)
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[Publications] T.Ekino: "Break-junction measurements of CeNiSn under magnetic fields" Physica B. 230-232. 635-637 (1997)
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[Publications] M.Sera: "Anisotropic pseudogap in CeNiSn and CeRhSb studied by a thermal-conductivity measurement" Phys.Rev.B. 55. 6421-6428 (1997)
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[Publications] K.Umeo: "Pressure-induced non-Fermi-liquid behavior in a heavy-fermion compound Ce7Ni3 around the antiferromagnetic instability" Phys.Rev.B. 55. R692-695 (1997)
