1996 Fiscal Year Annual Research Report
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08455013
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 助教授 (20135536)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 助手 (30214604)
藤田 茂夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (30026231)
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| Keywords | 光照射結晶成長 / 照射光波長による反応の選択性 / ZnCdSSe / 低次元構造 / 構造制御 / 量子構造 |
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| Research Abstract |
本研究は、われわれが見いだした光プロセスの選択性を応用することにより、ナノレベルで制御した、従来にない小さい低次元構造の作製を可能とする新技術の開拓を目的として行ったものである。以下に、本年度の研究で得られた結果を示す。
1.本研究で扱う基本プロセスである照射光波長による反応の選択性に関して、成長温度、下地層と成長層の組合せをパラメータとして調べた。その結果、適当な低温では、下地層の禁制帯幅より照射光エネルギーが小さいときには、その上に全く成長が起こらないこと、ある程度高温では、熱分解により成長層ができた後、下地層による選択性を持たないことが明らかになった。この結果、下地層の違いによる選択成長が可能となり、本研究で目指す成長面内での成長制御ができることが確認された。
2.原料としては、熱分解温度が適当に高いものが望ましいことがわかった。例えば、Se原料としては、モノアルキル化合物や水素化物よりも、分解温度が500℃程度と高いジアルキル化合物が望ましい。これは、光による分解を成長反応の主機構とするためである。
3.基礎実験として、成長方向の組成を照射光波長で制御し、ZnCdSSe系量子構造を作製した。励起子物性の測定から、良好な界面を持つことが示された。
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[Publications] 藤田静雄: "Defect states in p-ZnSe grown by MOVPE" Mat.Res.Soc.Proceedings. (発表予定).
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[Publications] 藤田静雄: "Semiconductor and Semimetals 44(分担執筆)" Academic Press, 338 (1997)
