1997 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
08455013
|
|---|
| Research Institution | KYOTO UNIVERSITY |
|---|
Principal Investigator |
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 助教授 (20135536)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 助教授 (30214604)
藤田 茂夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (30026231)
|
|---|
| Keywords | 光照射結晶成長 / 原料の光感度による反応の選択性 / 照射光波長による反応の選択性 / 基板温度による反応の選択性 / ZnCdSSe / 低次元構造 / 構造制御 / 量子構造 |
|---|
| Research Abstract |
本研究は、われわれが見いだした光プロセスの選択性を応用したソフトな手法により、低次元構造の作製を可能とする新技術の開拓を目的として行ったものである。以下に、得られた結果を示す。
1.原料の質量分析により、アルキル亜鉛とアルキルカドミウムにおいて熱分解の生じ易さが異なることがわかった。つまり、アルキル亜鉛は350℃程度で1つのアルキル基が熱分解する程度であるが、アルキルカドミウムはほぼ完全に熱分解する。
2.上の原料の分解について、350℃程度において、光照射に対する選択性があることを見出した。これを応用して成長方向に組成を制御してZnCdSe、ZnCdS系多層構造を作製した。X線、ホトルミネセンスから構造の形成を確認し、励起子光物性の測定から、良好な界面を持つことが示された。
3.下地層の違いによる成長の選択性を調べ、熱エネルギーと光エネルギーの相補的な効果で成長が支配されていることを見出した。つまり、ある程度の低温では、下地層の禁制帯幅より照射光エネルギーが小さい時にはその上に全く成長が起こらないが、ある程度高温では、熱分解により成長層ができた後、成長が起こる。
4.上の結果を応用して、下地層がZnSeとZnSの場合にZnSeの上にのみ成長が起きるような光制御による選択成長ができた。これにより、成長面内での成長制御が可能となり、2次元的に制御された低次元構造の作製につながることが確認された。
|
-
[Publications] 藤田 静雄: "Effects of photoirradiation energy and of underlying layers on ZnSe grown by photoassisted MOVPE" Journal of Crystal Growth. (印刷中).
-
[Publications] 藤田 静雄: "Growth of p-type Zn(S)Se layers by MOVPE" Journal of Crystal Growth. (印刷中).
-
[Publications] 藤田 静雄: "Fabrication of ZnSe-based laser diode structures by photoassisted MOVPE" Journal of Crystal Growth. (印刷中).
-
[Publications] 藤田 静雄: "Semiconductor and Semimetals 44(分担執筆)" Academic Press, 338 (1997)
