1996 Fiscal Year Annual Research Report
CaF_2/p形ダイヤモンドMIS構造に固有の安定化界面の検証と高温FET応用
| Project/Area Number |
08455020
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
小林 猛 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (80153617)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
牧 哲朗 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (80273605)
藤井 龍彦 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (40238530)
作田 健 大阪大学, 基礎工学部, 講師 (70221273)
|
|---|
| Keywords | ダイヤモンド / 界面準位 / MISFET / フッ素化 |
|---|
| Research Abstract |
この研究期間にダイヤモンド半導体の薄膜成長に大きな進展があったので、全体的に研究の進捗がよかったと思われる。界面の制御に関して、まず表面準位あるいは界面準位の原因になる活性酸素の吸着問題から研究を開始した。この試みは研究の進展において大変効果的な結果を生むことになった。酸素吸着がダイヤモンドの価電子帯端から1.7eVの個所に大きな準位をつくることが判明した。これが原因でMIS構造の動作が損なわれていた訳である。
筆者等は活性フッ素を表面に照射することで、吸着酸素を取り除き、替わりにフッ素を吸着させる方法を提案して、その効果を実験的に確認した。フッ素で置換した表面は予想以上に安定であり、界面準位の軽減を実現するとともにFETの動作を可能にした。
このような試みは初めてのものであって、この分野の研究進展に大きな貢献をしたと言える。
|
-
[Publications] T.Kobayashi: "Observation of Capaitance Hunching at Flat Band Voltage in Diamond Metal-insulator-semicanductor structures" Jpn.J.Appl.Phys.35(8). L1081-L1084 (1996)
-
[Publications] T.Kobayashi: "Prospect of Semiconducting Diamond Electronics" Diamond Films and Technologies. 6(4). 199-216 (1996)
-
[Publications] 牧哲朗: "SrTiO_3/CaF_2複合ゲート絶縁膜を用いたダイヤモンドMISFET" ダイヤモンド・シンポジウム. 12月. (1996)
-
[Publications] T.Kobayashi: "Effect of Oxygen additive on Microwave Plasma for Diamond Film Synthesis Studied by Plasma・Impedance-Measurement" Jpn.J.Appl.Phys.35(7B). L936-L939 (1996)
