1996 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
08455045
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Research Institution | Nagoya University |
Principal Investigator |
佐藤 一雄 名古屋大学, 工学部, 教授 (30262851)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
式田 光宏 名古屋大学, 工学部, 助手 (80273291)
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Keywords | シリコン / 異方性エッチング / 水酸化カリウム(KOH) / マイクロマシン / プロセスシミュレーション / マイクロ加工 |
Research Abstract |
単結晶シリコンの結晶異方性エッチングプロセスをマイクロマシニングの観点から研究した.KOH水溶液仁よるシリコンのエッチングレートを全結晶方位について精密に測定するため,単結晶シリコンインゴットから半径22mmの半球形試験片を機械加工で製作した.試験片の半球面のエッチング前後の形状変化を3次元測定機を使って測定し,その結果からエッチングレートを単結晶シリコンの全結晶方位について定量化した.実験はKOH濃度;30〜50%,エッチング温度;40〜90℃の範囲にある計15条件について行った.エッチングレートの結晶方位依存性はKOH水溶液の濃度,エッチング温度によって大きく変化することをはじめて明らかにした. 次いで,エッチングレートの方位依存性のデータに基づいて,エッチング形状の変化を解析的に予測するシュミレーションシステムを開発した.上記の測定結果から,エッチングマスクのパターンが同じであっても,KOH水溶液の濃度,エッチング温度等のエッチング条件の違いによって加工品形状がことなることを,開発したシステムを使って解析的に予測した.この予測結果は以下の実験によって実証された.シリコンの(110)基板表面に深溝を加工すると,KOH濃度が30%の場合に溝断面形状が矩形になるものが,KOH濃度50%の場合はウエッジ状になることを実験的に明らかにした.この結果は上記の解析結果と全く一致した. なお,上記のKOHの水溶液とならんでマイクロマシニングに最近使われはじめたTMAH水溶液についても,上記と同様の方法でエッチングレートの測定に着手した。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] K.Sato: "Characterization of MEMS Materrials:Measurement of Etching Properties and Mechanical Strength" Proc.of IEEE 7th Int.Symp.on Micromachine and Human Science. 43-50 (1996)
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[Publications] 松島芳宏,山城隆,式田光宏,佐藤一雄: "結晶異方性エッチングの方位依存性の測定(KOH水溶液の濃度と温度の効果)" 電気学会研究会資料. MM96-11. 277-284 (1996)
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[Publications] K.Sato,M.Shikida,et al.: "Characterization of Anisotropic Etching Properties of Single Crystal Silicon:The Effects of KOH Concentration on the Etching Profiles" Proc.of IEEE MEMS'97. 406-411 (1997)
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[Publications] K.Asaumi,Y.Iriye and K.Sato: "Anisotropic-Etching Process Simulation System MICROCAD Analyzing Complete 3D Etching Profiles of Single Crystal Silicon" Proc.of IEEE MEMS'97. 412-417 (1997)
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[Publications] K.Asaumi,Y.Iriye and K.Sato: "Anisotropic-Etching Simulation System MICROCAD Considering Etch Rates in Total Orientation of Single Crystal Silicon" Tech.Digest of CAD for MEMS workshop. (in print). (1997)
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[Publications] 山城隆,松島芳宏,佐藤一雄: "シリコンの結晶異方性エッチングにおける面粗さと結晶方位の関係" 日本機械学会東海支部第46期総会講演会講演論文集. 351-352 (1997)