1997 Fiscal Year Annual Research Report
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08455138
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| Research Institution | The University of Electro-Communications |
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Principal Investigator |
森崎 弘 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00029167)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
小野 洋 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (00134867)
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| Keywords | ナノ構造新物質 / クラスター / 低誘電率材料 / 多層膜反射鏡 / Siドープガラス / 可視領域発光 |
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| Research Abstract |
1Ge、Siナノ構造新物質
Geについては既にクラスター化することによってST-12と呼ばれるテトラゴナル構造をとることをラマン分光法により見いだしているが、本年度はこのことをさらに、電子線回折、X線電子分光によって確認した。また、クラスタービーム法によって形成された、Siクラスターは電子線回折によって、BC-8と呼ばれる立方晶をとることを新たに見いだした。
2SiOxナノ構造膜の低誘電率材料への応用
すでに我々が青色発光材料として報告した、ガス中蒸発法によって形成されたSiOx膜がLSI配線間用低誘電率材料として極めて有望であることを見いだした。従来の配線間誘電膜の比誘電率が3.9であるのに対し、新しい方法で形成されたSiOxナノ構造膜では、比誘電率が1.8以下のものが得られ、絶縁性や安定性も優れている。ステップカバレージについても、ライン間隔0.5μmまでは空隙を完全に埋めることが可能であることが実証された。
3Siドープガラス多層膜を用いた光共振器の作製
可視発光を示すSiドープガラスはSiO2とSiを同時スパッタすることにより作製されるが、スパッタ時のRFパワーを変化させるだけで膜の屈折率を変化できることが明らかになり、これを利用したRFパワー切り替えによる多層膜反射鏡の製作方法を確立した。その結果、Siドープガラスからのブロードな可視領域発光から、任意のシャープな発光を指向性良く取り出すことが可能になった。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] S.Sato: "Photo-oxidation of germanium nanostructures deposited by the clucter-beam evaporation techique" J.Appl.Phys.81(3). 1518-1521 (1997)
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[Publications] S.Nozaki: "Germanium nanostructures deposited by the clucter-beam evaporation techique" Nucl.Inst.Meth.Phys.Res.B. 121(1-4). 455-458 (1997)
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[Publications] H.Ono: "The structure and optical properties of silicon ultrafine particles deposited by the gas-evaporation technique with a supersonic jet nozzle" Nanostructured Materials. 9(1-8). 567-570 (1997)
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[Publications] S.Nozaki: "Photo luminescence characteristics of HF-treated silicon nanocrystals" Mat.Res.Symp.Proc.452. 159-164 (1997)
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[Publications] S.Sato: "Electronic structure of the valence band of tetragonal germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique" Electrochemical Society Proceedings. 97-11. 177 (1997)
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[Publications] S.Kobayashi: "Hydrogenated carbon nitride Thin films deposited by the plasma chemical vapor deposition technique using trimethylamine and ammonia" Jpn.J.Appl.phys.36(8). 5187-5191 (1997)
