1996 Fiscal Year Annual Research Report

有機シリコンからの高品質ワイドギャップ半導体の創成

Research Project

Project/Area Number	08455140
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Research Institution	Shizuoka University
Principal Investigator	畑中義式静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	中村高遠静岡大学, 工学部, 教授 (10022287) 中西洋一郎静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (00022137) 神藤正士静岡大学, 工学部, 教授 (60023248)
Keywords	ワイドギャップ半導体 / リモートプラズマ / CVD / 有機シリコン / SiC / SiN / SiO2
Research Abstract	本年度の研究は高品質ワイドギャップシリコン系半導体及び絶縁膜作製を行った。従来これらの薄膜作製にはシリコン原料としてすべてモノシランを用いてその反応性によりSiとの化合物を作ってきたがモノシランの危険性や、作製された膜の段差被覆性の問題を解決するために、骨格となる化合物の分子骨格を持つモノマーを原料として出発し、それをラジカルと反応させつつ、求める骨格を残して薄膜化する方法を作り出すことを検討した。この実現のため、リモートプラズマCVD法を用いた。リモートプラズマCVD法はプラズマ生成部と薄膜体積部とが分離していて、プラズマで発生したラジカルのみを堆積部に導いて反応させることができる。また必要に応じて、プラズマで生成したイオンや強力な紫外線を照射しながら堆積を行うこともできるため、薄膜の結晶性など品質の改善や反応過程の詳細な解析ができる。この結果、用いるラジカルの励起のレベルが高いものを用いると、反応に消費されるエネルギーが多く得られ、低い基板温度でも高い基板温度の時と同じ効果が得られることがわかった。また、各種有機シリコンと各種ラジカルの反応過程の検討により、目的とする高品質ワイドギャップ材料の堆積のために最適な有機原料を究明することもできる。本年度の研究ではヘキサメチルジシランからSiC薄膜が、また、トリスジメチルアミノシランを用い、水素ラジカルと窒素ラジカルを同時に照射しながら堆積することにより良質のSiN薄膜が堆積できることがわかった。さらに、ECRリモートプラズマCVD法によりSiC薄膜をプラスチック基板上へ堆積したところ、プラスチック表面硬度の向上、紫外線による劣化防止に有効であることもわかった。

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "Growth of Polycrystalline Silicon Films at Low Temperature by Plasma Enhanced CDV" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.403. 345-350 (1996)
[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "Remote Plasma depositions of SiCxNy film using hexamethyldisilazane" Inst.Phys.Conf.Ser.142. 1055-1058 (1996)
[Publications] S.Wickramanayaka.et.al.: "Evatuation of Reaction Dynamics of Film Depositions in Plasma CVDs by Using a Remote Plasma CVD system" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.406. 145-150 (1996)
[Publications] S.Wickramanayaka.et.al.: "Melting Evaporation and Recrystallization of a-SiC:H Films by Excimer Laser" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.429. 429-434 (1996)
[Publications] K.Sano et.al.: "Deposition of Thin SiO_2 Films on Polymers as a Hard-Coating Using a Micowave ECR Plasma" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.430. 647-653 (1996)
[Publications] K.Sano et.al.: "Deposition of High Quality SiO_2 Films Using TEOS by ECR Plasma" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.396. 539-543 (1996)

1996 Fiscal Year Annual Research Report

有機シリコンからの高品質ワイドギャップ半導体の創成

Principal Investigator

畑中 義式 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)

Research Products

[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "Growth of Polycrystalline Silicon Films at Low Temperature by Plasma Enhanced CDV" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.403. 345-350 (1996)

[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "Remote Plasma depositions of SiCxNy film using hexamethyldisilazane" Inst.Phys.Conf.Ser.142. 1055-1058 (1996)

[Publications] S.Wickramanayaka.et.al.: "Evatuation of Reaction Dynamics of Film Depositions in Plasma CVDs by Using a Remote Plasma CVD system" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.406. 145-150 (1996)

[Publications] S.Wickramanayaka.et.al.: "Melting Evaporation and Recrystallization of a-SiC:H Films by Excimer Laser" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.429. 429-434 (1996)

[Publications] K.Sano et.al.: "Deposition of Thin SiO_2 Films on Polymers as a Hard-Coating Using a Micowave ECR Plasma" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.430. 647-653 (1996)

[Publications] K.Sano et.al.: "Deposition of High Quality SiO_2 Films Using TEOS by ECR Plasma" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.396. 539-543 (1996)

畑中義式静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)