1996 Fiscal Year Annual Research Report
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08455143
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
中嶋 堅志郎 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (80024305)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
江龍 修 名古屋工業大学, 工学部, 講師 (10223679)
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| Keywords | 炭化ケイ素 / レーザー・ドープ / エキシマ・レーザー / Alアルミニウム / Niニッケル / オーミック電極 |
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| Research Abstract |
平成8年度科学研究費補助金により以下の研究を行い発表した。
1.超高真空対応チャンバーと高温用蒸発源設置によるレーザー・ドープ用チャンバーを試作した。
従来使用してきたチャンバーに比べ1桁以上の高真空度を達成でき(2x10^<-7>Torr)、不純物ド-ピング時の酸素による影響を取り除くのに効果があった。更に高真空にすることにより、より望ましい効果が期待されるので、9年度も引き続き高真空化対策を進める。
2.試作した高真空チャンバーと高温蒸発源を用いて以下の2点について研究を行い、期待された結果を得ることが出来た。
(1)n形6H(n=5x10^<17>cm^<-3>)および4H(n=1.4x10^<18>cm^<-3>)-SiC基板をトリメチル・アルミニウムガス(H_2、またはN_2ガス吸着、100 Torr)雰囲気中におき、KrFエキシマ・レーザー(エネルギー密度:0.8-1.0J/cm^2,パルス数:1000発)照射によりAl原子をドープした。SIMS分析により、Alは表面から約50nmまでドープされており、表面層は10^<22>cm^<-3>オーダーのAlが蓄積されていることが判明した。ホール効果測定によりAlドープされた6H、4H基板ともp形伝導を示し、正孔密度、移動度はそれぞれ(2-4x10^<18>cm^<-3>,1-2x10^2cm^2/V・s)、(2-4x10^<18>cm^<-3>,70-100cm^2/V・s)と求められた。Al原子の活性化率は約50%と推定された。
(2)n形6H-SiC(n=5x10^<18>cm^<-3>)に真空度2x10^<-7>TorrでNiを蒸着しながらレーザー照射を行い、オーミック電極を形成した。(照射条件:エネルギー密度:1.0J/cm^2,パルス数:1000発、試料温度:室温)通常の熱処理による電極形成に比べて(1000℃,500s)浅い領域(120nm)に良好なオーミック接触が形成され、接触抵抗は6x10^<-3>Ωcm^2と評価された。電極層は主としてNi_xSi,Cで構成されており、チャンバーの高真空化で更に低抵抗化が期待される。
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Research Products
(2 results)
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[Publications] O.Eryu他2名: "Formation of an ohmic electrode in SiC using a pulsed laser irradiation method" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. (予定). Np64 (1997)
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[Publications] T.Kume他3名: "Fabrication of ohmic contact to 6H-SiC at room temperature using pulsed laser doping method" International workshop on hard electronics abstract. 27 (1997)
