1996 Fiscal Year Annual Research Report
イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究
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08455151
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Hosei University |
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Principal Investigator |
原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
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| Keywords | シリコン / イオン注入 / SOI / LSI / ハクマク |
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| Research Abstract |
集積回路の高速化、低電力化に必要なSOI(Si on insulator)Si薄膜形成に関する基礎的な研究を行った。
特にHイオン注入により、欠陥SiとH結合が形成される機構とこの結合形成に関連したSi薄膜のデラミネーションに関する研究を行った。
トライオゴナル結合からテトラゴナル結合に変換される際に、過剰Hが排出され、Si結合が切断されることを明らかにした。
この研究の成果として、この0.7μmの厚さを有したSi薄膜が表面から剥離する詳細とこの剥離(デラミネーション)が生じるイオン注入、アニール条件(温度、時間)を初めて明らかにした。またこのデラミネーション現象を透過型電子顕微鏡と走査型電子顕微鏡で初めて観察できたのが今年度の研究実績である。
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[Publications] 崎山.原: "Arsen : c ion implan falion into SIMOX layers" Jof Electrochem.Soc.143.3. 67-69 (1996)
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[Publications] 原: "パターン平坦化研磨プロセスの評価技術" 精密工学会誌. 62. 513-516 (1996)
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[Publications] T.Hara ef.al: "Delaminations of thin layers by high aose H^+Implantation" Jof Eleetrochem.Soc.143.8. 166-168 (1996)
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[Publications] T.Hara ef al: "H^+Implantation in Si for the ooid cut SOI" Proc.IEEE. 10A. (1996)
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[Publications] T.Hara ef al: "Barrier effect of TaSiN layers for Odiffersion" Jof Electrochem.Soc.143.11. 264-266 (1996)
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[Publications] T.Hara ef al: "Orientation measurement of Al(III) planes in Al-Si-Cu" J.Electronics,Information and comm Soc.Japan. 79.7. 106-112 (1996)
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[Publications] T.Kitamura,T.Hara: "The 4th Inter.Symp.High Purity Si IV" Gleatrochem.Soc.Publish, 630 (1996)
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[Publications] T.Hara: "Materials and Process Characlerization of Ion" Ion Beam Press.Austin TX.USA, 800 (1997)
