イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 08455151
• Research Institution: Hosei Univ.
• Principal Investigator: 原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 佐藤 政孝 法政大学, イオン工学研究所, 助教授 (40215843) ; 山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
• Keywords: イオン注入 / シリコン / SOI / 薄膜 / はく離

Research Abstract

新らしいSOI(Silicon on insulator)作製法として提案された水素イオン注入法は従来法に比べ全ての点ですぐれている.しかしこの薄膜のはく離(デラミネーション)現象はほとんどわかっていなかった.本研究ではこのデラミネーションの詳細、原理、およびデラミネーションの発生に必要なアニール温度、時間をはじめて明らかにした.またこのデラミネーションに必要な注入水素とこの注入により導入されたシリコン欠陥との強い結合形成の詳細も明らかにした.

Research Products

• [Publications] 原 他: "H^+ implantalion in Si too the void cut SOI" Proc. IEEE The II Inter. Cont. 1.1. 45-48 (1997)
• [Publications] 原 他: "Implantation and annealing conditions for the dolam" J. Electrochem. Soc.144.4. 78-81 (1997)
• [Publications] 原 他: "Minority carrior lifetime measurement in Si epifocial" J. Electrochem. Soc.144.4. 54-57 (1997)
• [Publications] 原 他: "Ta Si N barrio layer for diffasion" Japan. J. of Appl. Phys.36,7B. 893-895 (1997)
• [Publications] 原 他: "Total process in 0.18 and 0.25 μm ahmic contents" Microelectronic Engineering. 37/38. 67-74 (1997)
• [Publications] 原 他: "Measurement of the delamination of thin Si and SiC" Japan. J. of Appl. Phys.36,9A. 1142-1145 (1997)
• [Publications] 原 他: "Optimization of V L S I Plasma Process for TiN." Physica B. 239. 50〜52 (1997)
• [Publications] 原 徹: "高エネルギーイオン注入および高ド-ズ水素イオン注入" 電気学会誌. 118. 161〜164 (1998)
• [Publications] 原 徹: "Materials and Process Characterization of Ion" Ion Beam Press, Austin, TX. U.S.A, 482 (1997)
• [Publications] T. Hara: "Proc Symp. on SOI" The Electorochem. Soc. NJ. U.S.A, 560 (1997)