1996 Fiscal Year Annual Research Report
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08455295
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
鶴見 敬章 東京工業大学, 工学部, 助教授 (70188647)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
神谷 利夫 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (80233956)
大橋 直樹 東京工業大学, 工学部, 助手 (60251617)
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| Keywords | 原子層エピタキシ- / 界面 / 強誘電体 / イオンビームスパッタ / 酸化亜鉛 / タンタル酸リチウム |
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| Research Abstract |
本研究は、酸化物/半導体界面の構造、物性制御と理想的界面を形成することを目的としている。平成8年度の検討項目と研究の結果得られた成果を以下にまとめる。
1)シリコン基板の水素終端化処理:シリコン基板上に酸化物を堆積する際、基板への酸素の拡散は大きな障害となる。そこでシリコン基板上の最表面のダングリングボンドを水素で終端化処理して耐酸化性の向上を試みた。基板を高純度HFおよびHF-NH4F混合溶液で処理することにより、大気中での表面酸化物形成を阻止することができた。
2)シリコン基板上へのチタン酸ストロンチウム薄膜の作製:水素終端化処理したシリコン基板上に、まず、ストロンチウム金属を原子層エピタキシ-法で蒸着した。その結果、数原子層まではエピタキシャル成長が確認された。チタン酸ストロンチウムの成長には至っていないが、ストロンチウムとチタンの交互蒸着により、最終条件を設定すれば十分成長が可能であると考えられた。
3)酸化亜鉛薄膜上への強誘電体薄膜の作製:サファイア基板上に半導体の酸化亜鉛を蒸着し、さらにその上に強誘導体であるタンタル酸リチウムを蒸着してMFS構造を作製した。イオンビームスパッタ法により、基板から超誘電体までが結晶学的方位関係を維持したヘテロ構造を作製することができた。その電気特性について検討したところ、MFS構造の特有の静電容量のバイアス電圧依存性を示すことが明らかとなった。15EA05:平成9年度は、シリコン基板上へのチタン酸ストロンチウム薄膜の形成と界面構造、物性の評価、さらに、酸化亜鉛/タンタル酸リチウム/サファイアの特性評価とトランジスタへの応用について検討する予定である。
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