1997 Fiscal Year Annual Research Report

偏光励起電場変調スペクトロスコピーの開発

Research Project

Project/Area Number	08555006
Research Institution	Kobe University
Principal Investigator	西野種夫神戸大学, 工学部, 教授 (60029452)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	坂口春典日立電線株式会社, アドバンスリサーチセンタ, 主任研究員喜多隆神戸大学, 工学部, 助手 (10221186)
Keywords	変調分光 / 反射率差分光 / その場観察 / 分子線エピタキシ- / 半導体量子構造
Research Abstract	半導体レーザや2次元電子ガスを利用した高電子濃度・高移動度素子などの電子デバイスの非破壊評価にはフォトミネッセンスなどの分光学的手法(スペクトロスコピー)が広く用いられている。一方、最近では電子のスピン特性を利用したデバイスに向けて半導体と磁性体などを融合した材料と超格子構造などを組み合わせた新しいタイプの量子デバイスが模索されている。このような一連の電子の特徴を生かした機能性材料・素子の評価には光の偏光情報や光励起、電場、磁場などによる変調状態のスペクトロスコピーから得られる精密なデータが必要になってくる。変調スペクトロスコピーは、吸収、反射、発光などの注目する光学特性をデバイスの制御に利用しようと思う物理量で変調できるのが特徴である。本研究はこれをさらに発展させて結晶成長表面の電子状態や半導体中の電子のふるまいを精密に評価する新しい変調スペクトロスコピーの開発を目指した。本研究では量子構造を持った半導体の電子状態とその励起状態について詳細に調べる手法を開発するため、新しく半導体の直線偏光特性やスピン偏光特性を利用した電場変調スペクトロスコピーの開発し、解析方法を確立した。励起光にエネルギー可変の直線偏光や円偏光を用いた変調スペクトルやその励起スペクトルの測定方法を確立し、得られるスペクトルと電子状態との関係を明らかにした。特に、基礎吸収端近傍の共鳴励起特性やハイヤー・インターバンド間光学遷移を見るため変調反射スペクトロスコピーに注目した偏光変調方法の開発した。またこの手法の成長評価法への応用を目指して推進し、偏光変調光反射測定による半導体量子構造成長過程のその場観察法を実現し、実用化のめどをたてた。

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, T.Nishino: "Photaluminescence from metostable state in long-rang ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P" Physical Review B. vol.55,No.7. 4411-4416 (1997)
[Publications] K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, T.Nishino: "Role of carrier lonlization in energy up-conversion at (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P/GaAs heterointerface" Proc. Electronic Materials Sympasium. 16th. 101-103 (1997)
[Publications] H.Nakayama, A.Furuichi, T.Kita, T.Nishino: "Stochastic growth theory of molecular beam epitary with atom correlation effects : A monte-carlo master equation method" Applied Surface Science. vol 113/114. 631-637 (1997)
[Publications] K.Yamashita, T.Kita, T.Nishino: "High efficiency up-conversion induced by carrier localization in ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs heterointerface" Proc. Electronic Materials Conference. 39th. 35-35 (1997)
[Publications] N.Tsukada, M.Gotoda, T.Isu, M.Nunoshita, T.Nishino: "Dynamical Controle of quantum lunneling due to ac Stark shift in on asymmetric coupled quantum dot" Physical Review B. vol.56,No.15. 9231-9234 (1997)
[Publications] H.Nakayama, T.Kita, T.Nishino: "Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanism" Elsevier Science, 21 (1997)

1997 Fiscal Year Annual Research Report

偏光励起電場変調スペクトロスコピーの開発

Principal Investigator

西野 種夫 神戸大学, 工学部, 教授 (60029452)

Research Products

[Publications] K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, T.Nishino: "Photaluminescence from metostable state in long-rang ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P" Physical Review B. vol.55,No.7. 4411-4416 (1997)

[Publications] K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, T.Nishino: "Role of carrier lonlization in energy up-conversion at (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P/GaAs heterointerface" Proc. Electronic Materials Sympasium. 16th. 101-103 (1997)

[Publications] H.Nakayama, A.Furuichi, T.Kita, T.Nishino: "Stochastic growth theory of molecular beam epitary with atom correlation effects : A monte-carlo master equation method" Applied Surface Science. vol 113/114. 631-637 (1997)

[Publications] K.Yamashita, T.Kita, T.Nishino: "High efficiency up-conversion induced by carrier localization in ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs heterointerface" Proc. Electronic Materials Conference. 39th. 35-35 (1997)

[Publications] N.Tsukada, M.Gotoda, T.Isu, M.Nunoshita, T.Nishino: "Dynamical Controle of quantum lunneling due to ac Stark shift in on asymmetric coupled quantum dot" Physical Review B. vol.56,No.15. 9231-9234 (1997)

[Publications] H.Nakayama, T.Kita, T.Nishino: "Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanism" Elsevier Science, 21 (1997)

西野種夫神戸大学, 工学部, 教授 (60029452)