1996 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
08555008
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Section | 試験 |
Research Institution | Kyushu Institute of Technology |
Principal Investigator |
並木 章 九州工業大学, 工学部, 教授 (40126941)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
三宅 竜也 日立製作所(株), 基礎研究所, 研究員
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Keywords | 超音速分子線 / シリコン表面反応 / エッチング / 水素原子線 / 表面清浄化 / 水素引き抜き反応 |
Research Abstract |
平成8年度は以下の2課題を遂行した。 (1)塩素分子線を用いたシリコン表面反応 清浄シリコン表面での塩素分子解離吸着反応を分子線法で解明した。入射エネルギーE_i,及び表面温度T_sを変化させながら初期解離吸着確率S_Oを求めた。S_OはE_i,T_sの増加に伴って複雑な変化を示した。その結果は前駆体経由吸着過程及び直接解離吸着過程として統一的に説明することが出来た。低温度で低エネルギー域では前者が、高温度、高エネルギー域では後者が支配的であることが判明した。結果は表面反応討論会で報告し、現在論文化している。 (2)水素原子線による吸着水素引き抜き反応 水素原子の表面清浄化過程を解明する為の予備的実験を行った。RFプラズマにより水素原子線を発生し、水素吸着したSi(100)表面に照射した。脱離するHD分子を直接的に測定出来た。その脱離の角度分布を調べたところSi-Hボンド方向にピークを持つ事が分かった。結果は現在J.Chem.Phys.誌に投稿中である。 平成9年度には脱離HD分子の角度分布を決定すべく装置を立ち上げている。装置はRFプラズマ源からの解離水素を3段の差動排気システムをとうして超高真空反応チャンバーに導入する。脱離生成物のHDの速度分布をcross correlation chopper法にて測定する。その為の3段差動排気システムの立ち上げを行い、測定用の高感度四重極質量分析計をテストした。
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[Publications] T.Ohkubo et al.: "Promoted O_2 Sticking on Li-covered Si(100)" Surface Science. 357/358. 684-689 (1996)
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[Publications] S.Yoneda et al.: "The poisonous effect of alkali adatoms on Cl_2 Sticking" Surface Science. 363. 11-21 (1996)
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[Publications] A.Namiki: "Cl_2 beam interaction with alkali-covered Si(100)" Proceedeings of Int'nl Symposium on Meterial chemistry'96. 53-60 (1996)