1997 Fiscal Year Annual Research Report
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08555073
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
坪内 和夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30006283)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
横山 道央 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (40261573)
益 一哉 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (20157192)
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| Keywords | 多層配線 / Al CVD / ClF_3クリーニング / クラスター装置 |
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| Research Abstract |
本研究では,サブ0.1umまでの極微細LSI多層配線構造の為のAl CVD技術の確立を目指す。初年度である平成9年度において,以下の研究を行った。
(1)クラスターAl CVD装置の設計・製作:
平成9年度は,クラスター装置開発に主眼をおいた。各クラスターチャンバーの設計を行った後,製作については,磁気軸受形ターボ分子ポンプを装着したメインチャンバー,及び搬送チャンバー,搬送チャンバー真空排気装置の組立を行い,主としてAl CVDを行うメインチャンバーと,試料ウエハを導入し,真空を破ることなくウエハ搬送が可能な搬送系との接続し、さらにクリーニングまたはバリア層形成のためのプラズマチャンバー設計開発の為の条件出しを行った。
(2)有機金属原料の比較
本研究で主として用いる原料であるDMAH(ジメチルアルミハイドライド)と、別原料DMEAA(ジメチルエチルアミンアラン)の2つの原料の、経時安定性、CVD-Al堆積特性等を比較し、量産化・大口径ウエハ用装置開発の為にはDMAH原料の方が優れているという見解を得た。
本研究は計画に沿って進展しており,超LSI多層配線用Al CVD装置開発の見通しは立っている。
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[Publications] 松橋 秀樹: "Al CVDにおけるアルミ有機金属ソースガスの比較" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料デバイス研究会). SDM97-96. 67-71 (1997)
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[Publications] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metalization MOSFET" Ext.Abst.1997 Int.Conf.Solid State Device and Materials,Hamamatsu. 124-125 (1997)
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[Publications] H.Matsuhashi: "Superiority of DMAH to DMEAA for Al CVD Technology" Advanced Metalization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997,San Diego. (1997)
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[Publications] M.Yokoyama: "Reduction of Parasitic Resistances in Wide-Gate Fully-Self-Aligned-Metalization(FSAM)MOSFET" Advanced Metalization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997,San Diego. (1997)
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[Publications] 横山 道央: "FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料デバイス研究会). SSDM97-96. 27-31 (1997)
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[Publications] 李 昌勲: "DMAHのDMEAAに対する優位性" 第58回応用物理学会学術講演会予稿集. 58. 3pE8 (1997)
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[Publications] 李 昌勲: "完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおけるバリア層の自己整合形成" 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集. 45(発表予定). (1997)
