1998 Fiscal Year Annual Research Report
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08555073
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| Research Institution | TOHOKU UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
坪内 和夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30006283)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
横山 道央 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (40261573)
益 一哉 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (20157192)
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| Keywords | 多層配線 / Al CVD / DirectLiquidInjection / クラスター装置 |
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| Research Abstract |
本研究では,サブ0.1umまでの極微細LSI多層配線構造の為のAI CVD技術の確立を目指した。平成10年度において,以下の研究を行った。
(1) 有機金属原料の大量供給法
本研究で主として用いる有機金属原料としては、DMEAA(ジメチルエチルアミンアラン)よりも、DMAH(ジメチルアルミハイドライド)の方が分解の速度、経時変化の点で優れている事を確認したが、DMAHは、粘性のある液体原料であり、化学気相成長(CVD)法において高速・大面積成膜させる為には安定な気化原料の大量供給が必要である。本研究では、液体のままウエハ直近まで輸送した後、大量に気化させて原料をウエハに供給する、DirectLiquid Injevtionシステムを用いた原料の供給システムを開発し、装置への装着をを検討した。実際にCVD-AIを成膜し、従来のバブリングによる供給法に比較し10倍の成膜速度が得られる事を確認した。
(2) クラスターAI CVD装置の設計・製作
Direct Liquid Injection(DLI)システムの装着を検討し、クラスタツールとしてメインチャンバー,搬送チャンバー,プラズマチャンバーと、各チャンバーの真空排気装置の組立を行い、トータルプロセスを通してCVD-Alを成膜できる事を確認した。
メインチャンバーにDLI供給装置を装着した。
以上により、大口径ウエハ対応、高速Al成膜を可能とするクラスターAI CVD装置としての製作の見通しが立った。
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[Publications] 李 昌勲: "完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおけるバリア層の自己整合形成" 電子情報通信学会技術報告(シリコン技術デバイス研究会). SDM-98-127. 29-34 (1998)
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[Publications] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor" Jpn,J.Appl.Phys.37. 3264-3267 (1998)
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[Publications] C.-H.Lee: "Crystallographic Structure and Contact Resistance of Self-Aligned Nitrided Barrier Layers on TiSi2 for Fully Self-Aligned Metallization MOSFETs" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998,Corrolad Springs. (1998)
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[Publications] 横山 道央: "FSAM-MOSFETを用いた高周波パワーアンプ" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料デバイス研究会). SDM-98-130. 49-53 (1998)
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[Publications] 西村 隆正: "DMAHのDMEAAに対する優位性" 第59回応用物理学会学術講演会予稿集. 58. 15aZL11 (1998)
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[Publications] 西村 隆正: "Direct Liquid Injection Systemを用いたAl CVD堆積速度の向上" 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集. 46. 29aZQ5 (1998)
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[Publications] 横山 道央: "シリコンシナログRF-CMOSデバイスの作製" 第46回応用物理学会学術講演会予稿集. 46. 31aZM3 (1998)
